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反強誘電体の英語
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英訳・英語 antiferroelectrics
「反強誘電体」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 228件
反強誘電性液晶複合体例文帳に追加
Ｅｃｒｔ’は反強誘電体材料を反強誘電相から強誘電相に転移させるのに必要な電界であり、Ｅｃｒｔは強誘電相が反強誘電相に戻る時の電界である。例文帳に追加
Ecrt' is an electric field required for shifting antiferroelectric materials from an antiferroelectric phase to a ferroelectric phase, Ecrt is an electric field required for returning it from a ferroelectric phase to an antiferroelectric phase. - 特許庁
ゲート絶縁膜ＡＦＥは反強誘電体膜を有する。例文帳に追加
The gate insulation film AFE has an antiferroelectric film. - 特許庁
強誘電体のドメイン反転構造形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING DOMAIN INVERSION STRUCTURE OF FERROELECTRIC SUBSTANCE - 特許庁
強誘電体のドメイン反転構造形成方法例文帳に追加
METHOD FOR FORMING DOMAIN INVERSION STRUCTURE IN FERROELECTRIC MATERIAL - 特許庁
誘電体材料を加圧した際に静電容量が変化するピエゾ誘電効果を利用した感圧センサ素子１において、誘電体材料として反強誘電体セラミックス板２若しくは反強誘電体単結晶板を用いた。例文帳に追加
In the pressure sensitive sensor element 1 using the piezo-dielectric effect where the capacitance varies when the dielectric material is pressurized, an antiferroelectric ceramic plate 2 or an antiferroelectric single crystal plate is used as the dielectric material. - 特許庁
誘電体層は、無機の強誘電性粒子または反強誘電性粒子、および伸びが約５パーセント以下のポリマー材料を備えている。例文帳に追加
The dielectric layer includes inorganic ferroelectric or antiferroelectric particles, and a polymer material having an elongation of about 5 percent or less. - 特許庁
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反強誘電体
「反強誘電体」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 228件
強誘電体基板の分極反転方法および分極反転デバイス例文帳に追加
POLARIZATION INVERSION METHOD AND POLARIZATION INVERSION DEVICE FOR FERROELECTRIC SUBSTRATE - 特許庁
単体の反強誘電体膜を備えた圧電体薄膜素子を提供する。例文帳に追加
To provide a piezoelectric thin film element having a single antiferroelectric film. - 特許庁
優れた強誘電性、高誘電性を示し、経年劣化および分極反転の繰り返しによる劣化の少ない誘電体キャパシタを提供する。例文帳に追加
To provide a dielectric capacitor exhibiting excellent ferroelectricity and high dielectricity in which aged deterioration and deterioration due to repeated inversion of polarization is suppressed. - 特許庁
強誘電体キャパシタセル２１１，２１２，２１３，２１４は、強誘電体の分極の反転／非反転によりデータを記憶している。例文帳に追加
Ferroelectric capacitor cells 211, 212, 213, 214 stores data by inversion/non- inversion of polarization of a ferroelectric substance. - 特許庁
この時、反転書き込みされる強誘電体容量では、Ｖccが印加され、非反転書き込みされる強誘電体容量では−Ｖplが印加される。例文帳に追加
In such a case, Vcc is applied to a ferroelectric capacitor fro which inverting write is performed and -Vpl is applied to a ferroelectric capacitor for which non- inverting write is performed. - 特許庁
周期的分極反転構造を有する強誘電体結晶の製造方法例文帳に追加
PRODUCTION OF FERROELECTRIC CRYSTAL HAVING PERIODIC POLARITY INVERSION STRUCTURE - 特許庁
不揮発性キャパシタに反強誘電体キャパシタを用いる。例文帳に追加
An antiferroelectric capacitor is used for the non-volatile capacitor. - 特許庁
層状反強誘電体、キャパシタとメモリ及びそれらの製造方法例文帳に追加
STRATIFIED ANTI-FERROELECTRIC, CAPACITOR AND MEMORY AND MANUFACTURING METHODS FOR THESE - 特許庁
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