回路アッシの英語

第１のフレキシブルプリント回路体220 と、入出力信号線220b,220c とが、別途製造された後に接続部50でピアッシング端子で固着され、互いに電気的に接続される。例文帳に追加

The first flexible printed circuit body 220a and the input-output signal lines 220b, 220c are separately manufactured, and then fixed in a connecting section 50 with a piercing terminal to be electrically connected with each other. - 特許庁

回路基板アッシー３が収納されたハウジングＨは、箱状の上ケース５と下蓋６とから成り、下蓋６の外周部は上ケース５に超音波溶着により一体に接合して固着されている。例文帳に追加

A housing H containing a circuit board assembly 3 comprises a box-shaped upper case 5 and a lower lid 6, wherein the periphery of the lower lid 6 is coupled with the upper case 5 integrally so as to be firmly fixed by using an ultrasonic welding. - 特許庁

配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。例文帳に追加

Improved compositions and processes for removing photoresists, polymers, post-etch residues, and post-oxygen-ashing residues from interconnect, wafer level packaging, and printed circuit board substrates are disclosed. - 特許庁

本発明は、特に、IC、ウェーハ基板上のWLP回路、及びPCBから、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための組成物と方法を提供することによって、上記限界及び欠点を克服する。例文帳に追加

To overcome limitations and disadvantages by providing compositions and processes for removing polymers, post-etch residues, and post-oxygen-ashing residues, particularly from ICs, WLP circuits on wafer substrates, and PCBs. - 特許庁

ボイスコイル２２、振動板２０、フレーム２４および１対の端子部材２６を、振動板サブアッシ１２として構成するとともに、振動板２０を覆うようにして設けられるカバー１８を有底筒状部材として構成し、このカバー１８内に振動板サブアッシ１２および外磁式の磁気回路ユニット１４が収容された構成とする。例文帳に追加

A diaphragm sub-indenter 12 is constructed from a voice coil 22, a diaphragm 20, a frame 24 and a pair of terminal members 26; a cover 18 provided to cover the diaphragm 20 is constructed as a cylindrical member having a bottom; and the diaphragm sub-indenter 12 and an external magnetic type magnetic circuit unit 14 are received in the cover 18. - 特許庁

高濃度イオン注入後の硬化したレジスト膜を温度を上げて真空中でアッシング処理してもポッピング現象がなく、そのため飛散した変質層等の残渣の発生のない半導体集積回路装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit device which performs ashing processing for a resist film which is cured after high concentration ion implantation under a vacuum at a higher temperature without a popping phenomenon, and therefore does not cause a scattered residue of a degeneration layer etc. - 特許庁

その上にレジスト層１１を形成し、露光量を調整したマスクでハーフトーン露光を施し、エッチングによりコンタクトホール領域にマトリクス回路に達する貫通孔を形成し、アッシングして貫通孔を除く画素電極形成領域に凹所１０ａを形成する。例文帳に追加

A resist layer 11 is formed thereupon and half-tone exposure whose exposure quantity is adjusted is carried out and a through hole which reaches the matrix circuit is formed by etching in a contact hole area and a recess 10a is formed by ashing in a pixel electrode formation area except the through hole. - 特許庁

次いで半導体ウェーハＷ（Ｓｉ）を酸化膜が露出するまでエッチングし、更にボトム酸化膜もエッチングにて除いてＡ面側に形成されている回路を露出させ、前記レジストをアッシングにて除去し薬品洗浄することでコンタクトホールとする。例文帳に追加

The semiconductor wafer W (Si) is etched until an oxide film is exposed, a bottom oxide film is also removed by an etching, the circuit formed on the A surface side is exposed, the resist is removed by an ashing, and a contact hole is formed by a washing by chemicals. - 特許庁