基礎層板の英語

この格子間型転位ループが、ＳｉＧｅ層とシリコン基板の間でのミスフィット転位の核生成の基礎となる。例文帳に追加

The interstitial dislocation loop is a base for the nucleation of the misfit dislocation between the SiGe layer and the silicon substrate. - 特許庁

搭載基礎は第1の半導体素材の基板及び基板を覆って形成された高熱伝導性を持つ素材の第1の層を含む。例文帳に追加

The mounting base includes a substrate of a first semiconductor material and a first layer of a material with high thermal conductivity formed so as to cover the substrate. - 特許庁

基礎底盤１上にステンレス等よりなる平滑板２が配置され、その上に摺動板５を有した積層体４が配置されている。例文帳に追加

A smooth plate 2 formed of stainless is arranged on a foundation bottom board 1 and a laminate having a slide plate is arranged thereon. - 特許庁

基礎底盤１上にステンレス等よりなる平滑板２が配置され、その上に摺動板５を有した積層体４が配置されている。例文帳に追加

A smooth plate 2 made of stainless steel, etc., is arranged on a foundation batholith 1, and a layered body 4, having a sliding plate 5 is arranged on it. - 特許庁

基礎基板、基礎基板の上面に配置されており、互いに並列に接続されている複数個の発光チップ、前記発光チップを覆っている蛍光物質層を含む発光ダイオードを用意する。例文帳に追加

The light-emitting diode are provided with a basic substrate, a plurality of light-emitting chips disposed on the upper surface of the basic substrate and connected in parallel with each other, and a light-emitting diode including a fluorescent material layer that covers the light-emitting chip. - 特許庁

サファイア基板１００上に、ＧａＮバッファ層１０１，ボンド極性反転層１０２，Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層１０３，ｎ−ＧａＮコンタクト層１０４からなる構造を基礎としている。例文帳に追加

This element has a structure comprising a sapphire substrate 100 overlaid with a GaN buffer layer 101, a bonded polarity inverted layer 102, an Al_xGa_1-xN layer 103 and an n-GaN contact layer 104, as a basis. - 特許庁

各受光セル１４は、Ｎ型不純物が添加されたシリコンからなる基板１５を基礎として、光電変換層１７、絶縁層２３、金属層２５及びフィルタ層３３を備える。例文帳に追加

Each of the light-receiving cells 14 is provided with a photoelectric conversion layer 17, an insulating layer 23, a metal layer 25, and a filter layer 33, on a substrate 15 formed of silicon to which n-type impurities are added as a base. - 特許庁

サファイアよりなる基礎基板１１に、ＡｌＮよりなる分離層１２およびＧａＮよりなるバッファ層１３を介してＧａＮよりなる半導体結晶層１４を成長させる。例文帳に追加

A semiconductor crystal GaN layer 14 is grown on a sapphire base substrate 11 through the intermediary of an AlN isolation layer 12 and a GaN buffer layer 13. - 特許庁