境界電位差の英語

評価部２８は、求められた複数の電流経路内における電位と、探索された回路の各々の境界セル３１とに基づいて、回路２、３の各々の境界セル３１に印加される電圧の電位差を求めてＥＳＤ耐量を評価する。例文帳に追加

The evaluation part 28 obtains potential differences between voltages applied to the respective boundary cells 31 of the circuits 2 and 3 based on the obtained electrical potentials in the plurality of electric current routes and each of the searched boundary cells 31 of the circuits, and evaluates ESD resistance. - 特許庁

このため、液晶表示セルをマザーガラス２ａ、２ｂから切り出した状態でも、走査領域の分割ラインを境界とした電位差が発生しないため、スイッチング素子の放電破壊を防ぐことができる。例文帳に追加

Thereby, since a potential difference with the dividing line of scanning areas as a border does not occur even in a state of cutting the LCD cell out of mother glass 2a and 2b, the discharge destruction of a switching element can be prevented. - 特許庁

電位差測定のプローブに関して、電解質不足の境界域を目で検知することが不可能であっても、改良したプローブを提供し、測定プローブの老化の状態を監視する方法を提供。例文帳に追加

To provide an improved measuring probe which can be used, even if the boundary region of the shortage of an electrolyte cannot be detected visually regarding the measuring probe for potentiometry and to provide a method, in which the aging state of the measuring probe can be monitored. - 特許庁

補助的な露光手段を設けずに細線を感光体上に形成した際に発生する画像部と非画像部の境界での電位差による影響を低減させる。例文帳に追加

To reduce the influence of a potential difference on a boundary between an image part and a non-image part, occurring when a fine line is formed on a photoreceptor, without providing an auxiliary exposure means. - 特許庁

このため、液晶表示セルをマザーガラス２ａ、２ｂから切り出した状態でも、走査領域の分割ラインを境界とした電位差が発生しないため、スイッチング素子の放電破壊を防ぐことができる。例文帳に追加

Consequently, no potential difference is generated across the dividing line of the scanning area even while the liquid crystal cell is cut out of mother glasses 2a and 2b, so discharge breakdown of a switching element can be prevented. - 特許庁

画像形成手段が読取用階調パターンチャート１００を形成する場合に、画像形成部の副走査方向に隣接する各階調パターン１０１・１０１の静電潜像における境界部位での電位差の違いによる電界の強調を回避するように、各階調パターン１０１を形成する。例文帳に追加

When an image forming means forms a gradation pattern chart 100, respective gradation patterns 101/101 are formed so as to avoid emphasis of an electric field due to difference in electric potentials in boundary parts in electrostatic latent images of respective gradation patterns 101/101 being adjacent in the sub-scanning direction of an image forming part. - 特許庁

ＳＯＩ基板に形成した高耐圧ＭＯＳＦＥＴであって、低濃度領域と支持基板との電位差によって、低濃度領域と埋め込み酸化膜の境界面を流れるリーク電流を発生させない半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is high breakdown voltage MOSFET, formed on an SOI substrate and which will not cause leakage current to flow in the boundary face of a low concentration region and an implanted oxidized film by the potential difference of the low concentration region and a support substrate. - 特許庁