密度演算子の英語

係数演算部３０は、符号データ列についての符号一様性及び素子配列方向における符号変化密度に基づいて、不要信号抑圧用の係数を演算する。例文帳に追加

A factor computing unit 30 computes a first factor indicating a level of sign coherence in the sign data array and a second factor indicating a sign transit density in the sign data array. - 特許庁

制御部６１０は、検出部６０７で検出した光の各励起パワー密度における積分発光強度をその励起パワー密度で除算した値に基づいて半導体発光素子１００の内部量子効率を演算する。例文帳に追加

The controller 610 calculates the internal quantum efficiency of the semiconductor LED 100 based on values obtained by dividing integrated emission intensities in the detector 607-detected respective excitation power densities of light by the excitation power densities. - 特許庁

演算装置８は、測定対象となる粒子２２の密度ρ、媒質の密度ρ__0、伝播定数ｋ（＝２π／λ）等の付着力Ｆの測定に必要なパラメータを記憶している。例文帳に追加

A computing unit 8 stores parameters required for measuring the adhesive force F, such as density ρ of the particles 22 as a measuring object, density ρ_0 of a medium, a propagation constant k (=2π/λ) and the like. - 特許庁

また、制御手段１６は、ファラデーカップ１１が電子線光軸上に位置するように駆動手段１５を制御し、エミッタ１から引き出された電子はファラデーカップ１１により検出され、角電流密度演算手段１７は角電流密度ρ_1を求める。例文帳に追加

The control means 16 controls driving means 15 so as to make a Faraday cup 11 in a position on an electron beam optical axis, electron taken out from the emitter 1 is detected by the Faraday cup 11, and angle current density calculating means 17 obtains an angle current density ρ1. - 特許庁

ＰＤＦ演算部６ａは、量子化された計量信号の振幅の離散値を確率変数とし、確率変数軸上に生成されるヒストグラムの所定の測定期間の確率密度関数を算出する。例文帳に追加

A PDF arithmetic part 6a calculates the probability density function of a prescribed measurement period of a histogram generated on a probability variable axis by using a discrete value of the amplitude of the quantized measurement signal as a probability variable. - 特許庁

被検者について得られた測定値（例えば骨密度値）と、その被検者において自己申告された危険因子該当性を示す情報とから次回の検診時期が自動的に演算される。例文帳に追加

The period for a succeeding medical examination is automatically calculated based on measurement values (e.g., a bone density value) obtained about the subject and information which indicates correspondences to the risk factors self-reported by the subject. - 特許庁

情報処理装置におけるヘテロ界面を含む半導体デバイスのシミュレーション方法であり、ヘテロ界面近傍において、当該ヘテロ界面に垂直な方向のキャリア電流密度を、ドリフト拡散方程式に基づいて表されるキャリア電流密度と熱電子放出条件又は熱電子・電界放出条件に基づいて表されるキャリア電流密度とを加重平均したものとして演算する（Ｓ０４，Ｓ０５）。例文帳に追加

In a simulation method of a semiconductor device containing a hetero interface in an information processing apparatus, a carrier current density in a vertical direction to the hetero interface in the vicinity of the hetero interface is calculated by weight-averaging a carrier current density represented based on a drift diffusion equation and a carrier current density represented based on a thermoelectronic emission condition or a thermoelectronic/field emission condition (S04, S05). - 特許庁