島状成長の英語

光電素子の半導体層でエピタキシャル成長を行う過程において、ドーパントを高濃度ドープ（ｈｅａｖｉｌｙ−ｄｏｐｅ）することにより、この半導体層に複数個の島状体を成長させることができる。例文帳に追加

In a process to perform epitaxial growth in a semiconductor layer of a photoelectric element, a plurality of island-shaped objects can be grown in the semiconductor layer by heavily doping a dopant. - 特許庁

Ｓｉの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたＧｅ層と、Ｇｅ層上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。例文帳に追加

A semiconductor substrate is provided, where the substrate includes an Si substrate, a Ge layer crystal-grown on the substrate and having an isolated island shape, and a functional layer crystal-grown on the Ge layer. - 特許庁

Ｓｉの基板と、基板上に結晶成長され、孤立した島状に形成されたＧｅ層と、Ｇｅ層の上に結晶成長され、Ｐを含む３−５族化合物半導体層からなるバッファ層と、バッファ層の上に結晶成長された機能層と、を備える半導体基板を提供する。例文帳に追加

A semiconductor substrate includes an Si substrate, a Ge layer crystal-grown on the substrate and having an isolated island shape, a buffer layer crystal-grown on the Ge layer and composed of a group 3-5 compound semiconductor layer including P, and a functional layer crystal-grown on the buffer layer. - 特許庁

CVD法またはPVD法で基板１上に島状膜２ａを形成させ、その島状膜２ａを核として、CVD法またはPVD法で板状の結晶２ｄを成長させることにより、高活性な光触媒機能を発現する光触媒薄膜材料を得られる。例文帳に追加

The thin film material of photocatalyst which develops an active function as photocatalyst, is obtained by means of forming an island- shaped film 2a on a substrate 1 by a CVD or PVD method, and growing a tabular crystalline 2d by the CVD or PVD method on the island-shaped film 2a as a core. - 特許庁

半導体素子は、ＧａＮ系半導体と異なる物質からなる基板１１と、基板１１上に直接または間接的に設けられ、一つまたは複数のストライプ状の開口１２ａを有する成長マスク１２と、成長マスク１２を用いて基板１１上に（０００１）面方位に成長された一つまたは複数の島状のＧａＮ系半導体層１３とを有する。例文帳に追加

The semiconductor element includes: a substrate 11 made of a material differing from a GaN semiconductor, a growth mask 12 provided directly or indirectly on the substrate 11 and having one or a plurality of striped openings 12a; and one or a plurality of island-like GaN semiconductor layers 13 grown on the substrate 11 in the (0001) plane orientation by using the growth mask 12. - 特許庁

そして、この島状結晶部２−１〜２−４を核としてエピタキシャル成長させることにより、前記第２の窒化物と異なる第３の窒化物から窒化物膜３を製造する。例文帳に追加

Further, these island-structure crystalline parts 2-1 to 2-4 are made, as nuclei, to be subjected to epitaxial growth for manufacturing a nitride film 3 out of a third nitride that is different from the second nitride. - 特許庁

基板６上に複数の島状に配列した触媒層４の夫々の全表面を覆う保護膜７をカーボンナノチューブ１の成長抑制物質で成膜する。例文帳に追加

Protective films 7 which cover the whole surfaces of catalytic layers 4 arranged in a plurality of insular forms on a substrate 6 are fabricated of a substance that retards the growth of carbon nanotubes 1. - 特許庁

リッジ部より下層のクラッド層２６には、島状に結晶成長したｐ型ＡｌＧａＩｎＮ結晶３２が１次元的にランダムな配列で配置され、１次元の屈折率分布をクラッド層に形成している。例文帳に追加

A p-type AlGaInN crystal 32 grown into an island shape is disposed one-dimensionally in a random manner on the cladding layer 26 lower than the ridge, and a one-dimensional refractive index distribution is formed on the cladding layer. - 特許庁