成長部の英語

WES は、APEC 首脳が２０１０年１１月横浜において策定する文書である APEC 成長戦略のうち、なくてはならない主要な部分を占めるものであり、この成長戦略は、均衡ある成長、あまねく広がる成長、持続可能な成長、革新的成長、安全な成長を追求する。例文帳に追加

The WES should be an integral part of the APEC Growth Strategy, a document APEC Leaders are to formulate in Yokohama in November 2010, which calls for balanced, inclusive, sustainable, innovative and secure growth. - 経済産業省

単結晶成長方法、単結晶成長用浮遊部材、結晶、光学部品及び露光装置例文帳に追加

SINGLE CRYSTAL GROWING METHOD, FLOATING MEMBER FOR GROWING SINGLE CRYSTAL, CRYSTAL, OPTICAL COMPONENT, AND EXPOSURE APPARATUS - 特許庁

成長用基板の凹部内に気相成長法により半導体膜を成長させ、凹部内に発光素子を形成する。例文帳に追加

The semiconductor films are grown in the recesses of the substrate for growth by a vapor growth method, and then light-emitting elements are formed in the recesses. - 特許庁

そして、植物には量的成長と質的成長の二大成長があり、植物の二大姿形は、地下部の根と、地上部の幹や枝葉である。例文帳に追加

There are two large growth of quantitative growth and qualitative growth in the plant. - 特許庁

成長マスク１４の開口部１３におけるｎ型ＧａＮ層１２上に六角錐形状のｎ型ＧａＮ層１５を選択成長させる際に、初期成長をプレーナ成長換算で８μｍ／ｈ以上の成長速度で行う。例文帳に追加

When an n-type GaN layer 15 of a hexagonal cone shape is selectively grown on the n-type GaN layer 12 at the openings 13 of the mask 14, initial growth is carried out at an initial growth rate of 8 μm/h or higher. - 特許庁

成長部位ごとにエピタキシャル成長特性が異なるように半導体エピタキシャル層を成長させる方法例文帳に追加

METHOD FOR GROWING SEMICONDUCTOR EPITAXIAL LAYER FOR MAKING EPITAXIAL GROWTH CHARACTERISTICS DIFFERENT FOR EACH GROWING PORTION - 特許庁

脂肪族ケトン化合物のガスの供給を、銅薄膜を成長させる前、成長させる時、又は一部を成長させた後に行う。例文帳に追加

It also comprises supplying gas of an aliphatic ketone compound before growing the copper thin film, during growing it, or after growing a part. - 特許庁

この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。例文帳に追加

Then, facet growth of the non-vertical growth part 4 is continued for 50 min, in the following crystal growth condition. - 特許庁