接合トランジスターの英語

バイポーラ接合トランジスターを用いたマグネチックＲＡＭの動作方法例文帳に追加

WRITING METHOD FOR MAGNETIC RAM USING BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR - 特許庁

ヘテロ接合バイポーラー装置とヘテロ接合バイポーラートランジスター製造方法例文帳に追加

HETERO JUNCTION BIPOLAR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING HETERO JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR - 特許庁

ショートチャンネル効果を抑制し、ソース／ドレーン接合キャパシタンスを減少させることができるＭＯＳトランジスターを提供することである。例文帳に追加

To provide MOS transistors that can control a short channel effect and reduce source/drain junction capacitance. - 特許庁

より多くの数の接合パッドの使用を、繊細なトランジスターや他のＩＣ装置の損傷の恐れなしに、可能にする。例文帳に追加

To enable a larger number of bonding pads to be used without causing damage to a fine transistor and other IC devices. - 特許庁

超伝導素子を作成に際して、例えば超伝導トランジスター等にみられる超伝導−非超伝導体の接合における非超伝導体部分に用いる場合に有用である燐化合物からなる材料を提供する。例文帳に追加

To provide a material comprising a phosphorus compound useful for a non-superconductor portion in superconductor-non-superconductor junction found, e.g. in a superconductive transistor when a superconductive element is manufactured. - 特許庁

製造時間を短縮しつつ、優秀性能製品を提供し、且つヘテロ接合バイポーラートランジスターの不純物（水素イオン濃度）の制御力を改善する。例文帳に追加

To reduce a production period of time while providing a superior performance product, and also to improve a control power of impurities (hydrogen ion density) of a hetero junction bipolar transistor. - 特許庁

裏面にショットキー接合を備えた縦型ＭＯＳ電界効果トランジスターにおいて、ショットキー金属のバリア高さを考慮した最適条件の設定と、デバイスの実用化を図る。例文帳に追加

To contrive to set optimal conditions considering a barrier height of a Schottky metal and practice a device in a vertical-type MOS field-effect transistor comprising a Schottky junction on its reverse face. - 特許庁