接合パラメータの英語

ベクトルネットワークアナライザ（ＶＮＡ）などに用いられる５ポート接合や６ポート接合などのシステムパラメータの計算時間を短縮する。例文帳に追加

To shorten a computation time of a system parameter corresponding to a 5-port connection, a 6-port connection or the like used in a vector network analyzer (VNA) etc. , and simplify the configuration of its measuring circuit. - 特許庁

本発明の無鉛はんだの接合強度判定方法によれば、無鉛はんだの表面の金属組織を観測する金属組織観測工程（ＳＴ４）と、金属組織観測工程により得られた観測結果と、無鉛はんだの接合強度が低下していないことを示す組織パラメータとを比較する組織パラメータ比較工程（ＳＴ５）とを含む。例文帳に追加

This bonding strength determination method of the unleaded solder includes a metallographic structure observing process (ST4) for observing the metallographic structure of the surface of the unleaded solder, and a structure parameter comparing process (ST5) for comparing the observation result acquired in the metallographic structure observing process with a structure parameter for showing that the bonding strength of the unleaded solder is not lowered. - 特許庁

前記時間Ｔ１、時間Ｔ２及び時間Ｔ３は、各々前記発電部の膜・電極接合体特性、または、実験で得た好ましいパラメータのいずれかの方式の選択に従って決定する。例文帳に追加

Each of the above hours of T1, T2 and T3 is decided in accordance with selection of either formula of the membrane/electrode assembly characteristics of the power generating part or preferable parameters obtained in the experiment. - 特許庁

例えば、位相が１２０°づつ異なる３つの波を５ポート接合の入力ポートに順次入れ、予め定めた基準電力で正規化した出力電力値に基づきシステムパラメータを計算する。例文帳に追加

For example, three waves having phases shifted from another by 120° are sequentially input to an input port of the 5-port connection, and the system parameter is computed based on an output power value which is normalized by a predetermined reference power. - 特許庁

はんだ接合部のはんだに疲労亀裂が生じる相成長評価パラメータＳ_ｉと熱疲労亀裂発生寿命Ｎ_ｉから、この両者の関係式の係数を決定する。例文帳に追加

The method further includes a step of deciding the coefficient of a relational formula of both the phase growth evaluating parameter S_i and a heat fatigue crack generating lifetime N_i for generating a fatigue crack in the solder of the junction. - 特許庁

自己接合エピタキシャル成長技術によりエピタキシャルパラメータ誤差のもたらす孔の発生を防止でき、欠陥密度を減らし、エピタキシャル層の品質を高め、これにより内部量子効率を向上する。例文帳に追加

It is possible to prevent the occurrence of holes caused by the epitaxial parameter error by the self-bonding epitaxial growth technique, thereby reducing the defect density, improving the quality of the epitaxial layer, and improving the inner quantum efficiency. - 特許庁

この評価パラメータＳの増加の変化率ΔＳから、はんだ接合部のはんだに疲労亀裂が生じるまでの熱サイクルによる疲労寿命Ｎ_ｉを推定する。例文帳に追加

The method also includes a step of estimating the lifetime N_i by the heat cycle from the rate of change ΔS of an increase in the parameter S until the fatigue crack occurs in the solder. - 特許庁

オン状態では電流を流すとともに、オフ状態では空乏化する並列ｐｎ層からなるドリフト層を備えた超接合半導体素子において、パラメータの影響を明らかにし、量産化を容易にする。例文帳に追加

To ease realization of mass production by clarifying the effect of parameters of a super-junction semiconductor device having a drift layer comprising parallel pn layers which depletes in OFF state while conducting current in ON state. - 特許庁