正孔対励起の英語

光スイッチング材料がナノサイズであることにより、光励起電子・正孔対の発生効率が向上する。例文帳に追加

Since the optical switching material is of nanosize, generation efficiency of optically excited electron/hole pairs is improved. - 特許庁

そして、求められた電子及び正孔の波動関数ψ_ｅ、ψ_ｈ、及び電子及び正孔の相対運動を表すエンベロープ関数φ_ｅ−ｈを用いて、励起子の波動関数Ψを変分法により演算し、励起子のエネルギーを求める（Ｓ１０２）。例文帳に追加

The computed wave functions ψ_e and ψ_h for the electron and hole and the envelop functions ϕ_e-h showing a relative movement of the electron and the hole are used to compute the exciton's wave function Ψ by a variation method, thus finding the exciton's energy (S102). - 特許庁

これにより、ｐｎ接合層に対して電圧印加によって電子と正孔が注入されると、注入された電子と正孔の結合によって生じたエネルギーで希土類元素が励起され、希土類元素が励起状態から基底状態に戻るときに放出するエネルギーに相当する波長で発光が生じる。例文帳に追加

Thus, when electrons and holes are injected by voltage application to a pn-junction layer, a rare earth element is excited by energy generated by coupling of the injected electrons and holes, then light emission is generated with wavelength corresponding to energy discharged when the rare earth element is returned to the ground state from the excitation state. - 特許庁

第２の化合物半導体層１０３は、ｎ型ドーピングによりそのバンドギャップが相対的に価電子帯方向へシフトしており、熱励起された正孔の拡散障壁としてより効果的に機能する。例文帳に追加

The second compound semiconductor layer 103 has its band gap shifted by n-type doping relatively in a valence-band direction to effectively function as a diffusion barrier for the thermally excited hole. - 特許庁

多層化が容易であり、全色に対応できる従来よりも大きな励起エネルギーを有し、かつ、電子及び正孔のキャリア移動度の大きな有機エレクトロニクス用材料、優れた発光効率、発光寿命を有する有機エレクトロニクス素子及び有機エレクトロルミネンス素子を提供する。例文帳に追加

To provide an organic electronics material which is easily multilayered, has excitation energy larger than heretofore and adaptive to all colors, and large carrier mobility of an electron and a positive hole, to provide an organic electronics element which has excellent light emission efficiency and light emission life, and to provide an organic electroluminescence element. - 特許庁

光励起で発生した電子・正孔対のうちの電子は緩衝層２０４，電子走行層２０３，電子取出層２０２から取出電極１０５，１０６に取り出され、正孔は拡散緩衝層２０６から接地電極１０３，１０４に取り出され、それら電子、正孔の寿命は再結合寿命に依存せず短い。例文帳に追加

Among the electron-hole pairs generated by the light excitation, the electrons are extracted from a buffer layer 204, an electron running layer 203 and electron extraction layer 202 to extract electrodes 105, 106, while the holes are extracted from a diffusion buffer layer 206 to ground electrodes 103, 104 and the lives of these electrons and holes are short, independent of the recombination life. - 特許庁

超格子半導体発光素子に対して逆バイアス電圧を印加したときに、励起光を入射することによりキャリアを注入して、電子を量子井戸層２２のΓ準位から障壁層２１のＸ準位を介して次段の量子井戸層２２のΓ準位に遷移させかつ電子を正孔と再結合させて発光させる。例文帳に追加

At the time of impressing a reverse bias voltage to the super lattice semiconductor light emitting element, carriers are injected by making incident excitation lights, and electrons are moved from the Γ level of the quantum well layer 22 through the X level of the barrier layer 21 to the Γ level of the quantum well layer 22 in the next stage, and the electrons are recombined with holes so as to emit light. - 特許庁