下記工程（１）と（２）を１回または複数回繰り返すことにより、水素化アモルファスシリコンも製造できる：（１）上記方法でアモルファスシリコン層を形成する工程、及び（２）このアモルファスシリコン層に水素原子または水素イオンを照射して水素化アモルファスシリコン層を形成する工程。例文帳に追加

A hydrogenated amorphous silicon is produced by conducting or repeating at least twice the following steps (1) and (2): the step (1) of forming the amorphous silicon layer by the above method; and the step (2) of irradiating the amorphous silicon layer with hydrogen atoms or hydrogen ions to form a hydrogenated amorphous silicon layer. - 特許庁

例文

例えば、上記ＡＰＤ増倍部をシリコン単結晶で形成し、また、上記線形増倍部におけるヘテロ接合は、水素化アモルファスシリコン層と水素化アモルファスシリコンカーバイド層との、ヘテロ接合とする。例文帳に追加

For example, the APD amplification portion is formed of silicon single crystal, and the heterojunctions of the linear amplification portion each includes a hydrogenated amorphous silicon layer and a hydrogenated amorphous silicon carbide layer. - 特許庁

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「水素化アモルファスシリコン」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 20件

例文

第一導電型（ｎ型）の結晶シリコン基板１上に、ノンドープの水素化アモルファスシリコン層２を介して第二導電型（ｐ型）の水素化アモルファスシリコンオキサイド層３を備えた太陽電池である。例文帳に追加

The solar cell has a structure in which a second conductivity type (p-type) hydrogenated amorphous silicon oxide layer 3 is formed on a first conductivity type (n-type) crystal silicon substrate 1 via a nondoped hydrogenated amorphous silicon layer 2. - 特許庁

絶縁表面の上方に、ＣＶＤ法でアモルファスシリコン膜を形成し、加熱してアモルファスシリコン膜内の水素を離脱させた後、Ｎｄ：ＹＡＧレーザーを照射して結晶化する。例文帳に追加

This manufacturing method is carried out in such a manner that an amorphous silicon film is formed above the surface of an insulating layer through a CVD method, hydrogen contained in the amorphous silicon film is eliminated through heating, and the amorphous silicon film is irradiated with an Nd:YAG laser to turn crystalline. - 特許庁

ｎ型水素化微結晶シリコン層の反射電極側には、さらにｎ型水素化アモルファスシリコン層が形成されている。例文帳に追加

An n-type hydrogenated amorphous silicon layer 107 is formed on the reflection electrode side of the n-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer 106. - 特許庁

ｐ型のアモルファスシリコン層５上に、水素化ポリシランをデカヒドロナフタレンに溶かした溶液と、結晶性ＰｂＳ微粒子をトルエンに分散させた溶液の混合溶液を塗布し、乾燥後に熱処理を施すことにより、結晶性ＰｂＳ微粒子を含有するｉ型のアモルファスシリコン薄膜７Ａと結晶性ＰｂＳ微粒子を含有しないｉ型のアモルファスシリコン薄膜７Ｂとを形成する。例文帳に追加

A p-type amorphous silicon layer 5 is coated with a mixed solution of solution, where hydrogenated polysilane is dissolved into decahydronaphthalene, and solution, where crystalline PbS fine particles are dispersed into toluene, and heat treatment is performed after drying, thus forming an i-type amorphous silicon thin film 7A containing the crystalline PbS fine particles and an i-type amorphous silicon thin film 7B without containing any crystalline PbS fine particles. - 特許庁