活性化障壁の英語

本発明は、半導体デバイス要素のメタライゼーション及び誘電体材料の不活性化に使用される障壁層に関する。例文帳に追加

To provide a barrier layer used for metallization of a semiconductor device component and deactivation of a dielectric material. - 特許庁

光触媒活性化自浄性被覆を堆積する前に、基体上にナトリウムイオン拡散障壁層を堆積し、光触媒活性化自浄性被覆のナトリウムイオン被毒を防ぐ。例文帳に追加

Before stacking the photocatalyst activated self-cleaning coating, a sodium ion diffusion barrier layer is stacked on the substrate to prevent sodium ion poisoning of the photocatalyst activated self-cleaning coating. - 特許庁

半導体層は、ＩＩＩ族窒化物半導体である窒化ガリウム系化合物半導体から形成され、バッファ層７１と、ｎ型障壁層７２と、活性層７３と、ｐ型障壁層７４と、ｐ型コンタクト層７５とを有し、これらの層は炭化珪素基板上に順に積層されている。例文帳に追加

The semiconductor layer is formed of a gallium nitride based compound semiconductor as a group-III nitride semiconductor, and has a buffer layer 71; an n-type barrier layer 72, an active layer 73; a p-type barrier layer 74; and a p-type contact layer 75, which are sequentially stacked on the silicon nitride substrate. - 特許庁

本方法は、前記トンネル接合素子の前駆層上に前記トンネル障壁層を形成することと、酸化プロセスおよび窒化プロセスからなる群から選択される処理によって、前記トンネル障壁層を非導電性材料に変換することと、前記トンネル障壁層に紫外光を照射することを含み、該紫外光は、前記トンネル障壁層内にある反応物質に入射し、前記紫外光は、前記反応物質を活性化することにより、前記反応物質が、前記トンネル障壁層の材料に反応し、該材料を前記非導電性材料に変換する。例文帳に追加

Since the ultraviolet rays activate a reactive substance contained in the barrier layer when the rays are made incident to the substance, the substance reacts to the material of the barrier layer and transforms the material into the nonconductive material. - 特許庁

この窒化物半導体発光素子は、ｎ側窒化物半導体２０と、ｎ側窒化物半導体２０上に形成され、量子井戸層３２および障壁層３１を含む量子井戸構造を有する活性層３０と、活性層３０上に形成されたｐ側窒化物半導体４０とを備えている。例文帳に追加

A nitride semiconductor light-emitting element comprises: an n-side nitride semiconductor 20; an active layer 30 that is formed on the n-side nitride semiconductor 20 and has a quantum well structure including a quantum well layer 32 and a barrier layer 31; and a p-side nitride semiconductor 40 formed on the active layer 30. - 特許庁

下側導電層と上側導電層との間の介在する拡散障壁層を、選択酸化熱処理に先立って不活性雰囲気中で熱処理することにより、高融点金属珪窒化物に変換する。例文帳に追加

A diffusion barrier layer which interposes between the lower conducting layer and the upper conducting layer is thermally treated in an inert atmosphere prior to selective oxidation heat treatment, and turned into high melting point metal siliconitride. - 特許庁

別の実施形態において、発光素子は、不純物で均一にドーピングされるか、又は、活性領域と実質的に直角な方向に段階的に変化する濃度を有する不純物でドーピングされた少なくとも１つの障壁層を有するIII族窒化物半導体活性領域を含む。例文帳に追加

In another embodiment, this light-emitting element contains a group III nitride semiconductor active region, having at least one barrier layer doped uniformly with an impurity or doped with the impurity, in a state where the concentration of the impurity changes in stepwise manner in a direction substantially perpendicular to the active region. - 特許庁

これによれば、触媒に吸着した反応分子を光励起して反応性を高めると同時に触媒作用により反応の活性化障壁を下げることで、反応をスムーズに進行させることができる。例文帳に追加

In this method, the reacting molecules adsorbed on the catalyst are photoexcited to increase their reactivity, and at the same time the activation barrier for the reaction is lowered by a catalytic action, thereby the reaction proceeds smoothly. - 特許庁