発達領域の英語

主燃料噴射孔１６は、空気導入ポートから噴射された空気噴流のポテンシャルコア領域または完全発達領域に設けられている。例文帳に追加

The main fuel injection holes 16 are provided in a potential core area of an air jet injected from the air introduction ports or a complete development area. - 特許庁

低レイノルズ数領域における層流剥離泡の発生と乱流境界層の発達を抑制して圧縮機の効率を向上させるとともに、サージ余裕の減少を防止し、圧縮機の安定作動領域を確保することができる圧縮機翼とその圧力損失低減方法を提供する。例文帳に追加

To provide a compressor blade capable of securing the stable operation range of a compressor and a pressure loss reducing method thereof by restricting the generation of a layer flow separating bubbles and the development of a turbulent flow boundary layer in a low-Raynolds number range to improve the efficiency of the compressor, and preventing the reduction of a surge margin. - 特許庁

また配列表の配列番号２に示す塩基配列を有するプロモータ領域２２と前記プロモータ領域の３’下流側に配置される花粉の発達を阻害するような構造遺伝子領域とを備える発現誘導遺伝子をベクターに組込んで種子植物に導入すると、花粉で特異的に発現を誘導し、雄性不稔植物を作出できる。例文帳に追加

Integration of an expression-inducing gene consisting of promotor region 22 having a base sequence shown in sequence 2 and a structural gene region which is placed in the 3'-downstream side of the promotor region and inhibits the development of pollen into a vector to transduce the spermatophyte allows inducing expression specifically in the pollen and creating a male-sterile plant. - 特許庁

流れの未発達領域（管入口や曲がった管の出口付近）でも流量を正確に計測することができる流量センサを提供することにある。例文帳に追加

To provide a flow rate sensor capable of measuring correctly fluid flow even at an underdeveloped domain of flow (near inlet ports of tubes and outlet ports of curved tubes). - 特許庁

発達期又はそれ以前の時期にGluR1の細胞内領域が大脳皮質の体性感覚野に遺伝子導入されていることを特徴とする、社会的隔離モデル動物。例文帳に追加

There is provided the socially isolated animal model wherein an inner cellular region of GluR1 is genetically introduced into a somatosensory area of the cerebral cortex at a development term or before the term. - 特許庁

金属層１４に大きな応力が発達しやすい周辺領域における半導体素子の厚みを薄くすると、金属層１４に大きな応力が繰返し作用する現象を抑制することができ、金属層１４の耐久性を向上させることができる。例文帳に追加

The thickness of the semiconductor device in the peripheral region where a large stress develops on the metal layer 14 is reduced, so that a phenomenon in which a large stress repeatedly acts to the metal layer 14 can be prevented, and the durability of the metal layer 14 can be improved. - 特許庁

マスク１４により成長領域１３を制限した基板を用いて、エピタキシャル成長によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜１５のファセット構造を形成し（ｂ）、マスク１４を覆うまでファセット構造を発達させる（ｃ）。例文帳に追加

The method for manufacturing a GaN semiconductor element comprises the steps of forming a structure of a III-V compound semiconductor film 15 by an epitaxial growth by using a substrate for limiting a growing area 13 by a mask 14 (b), and developing the structure until the structure is covered with the mask 14 (c). - 特許庁