また、保護層１５０を形成する砒化アルミニウムの少なくとも一部を酸化してもよい。例文帳に追加

Also, at least one part of the aluminum arsenide for forming the protection layer 150 may be oxidized. - 特許庁

保護層１５０は、砒化アルミニウムをエピタキシャル成長させることにより、形成されることが好ましい。例文帳に追加

The protection layer 15 is preferably formed by allowing aluminum arsenide to be subjected to epitaxial growth. - 特許庁

９　砒化ガリウム又は砒化アルミニウムガリウムを用いた量子井戸フォーカルプレーンアレーであって、素子の数が二五六未満のもの例文帳に追加

ix. Quantum well focal plane arrays which use gallium arsenide or aluminum gallium arsenide with less than 256 elements発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

（二十）　アルミニウム、ガリウム若しくはインジウムの有機金属化合物又は燐、砒素若しくはアンチモンの有機化合物例文帳に追加

(xx) Organometallic compounds of aluminum, gallium, or indium, or organic compounds of phosphorus, arsenic, or antimony発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

なお、基板は、ＧａＡｓの他に、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、燐化インジウム（ＩｎＰ）、燐化ガリウム（ＧａＰ）およびアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）のうちの少なくとも１種を含む混晶により構成する。例文帳に追加

Also, the substrate is configured of not only GaAs but also at least one type of aluminum arsenide (AlAs), indium phosphide (InP), gallium antimonide (GaP) and antimonide (GaSb). - 特許庁

可溶性アルミニウム化合物および可溶性マグネシウム化合物を混合してなるクロム及び／又は砒素処理剤では、酸化剤や還元剤を添加することなく、少量の薬剤添加で効率的にクロム及び／又は砒素を処理することができる。例文帳に追加

In a chromium and/or arsenic treatment agent formed by mixing a soluble aluminum compound with a soluble magnesium compound, chromium and/or arsenic can be treated with a little amount of chemical addition without adding an oxidant nor a reducing agent. - 特許庁

多層膜反射鏡２，２ａに、ガリウム砒素あるいはアルミニウムガリウム砒素からなる高屈折率半導体層と、燐を含むIII−Ｖ族化合物半導体からなる低屈折率半導体層により構成される半導体多層膜構造を用いる。例文帳に追加

For a multi-layer film reflection mirror 2, a semiconductor multi-layer film structure constituted of a high refractive index semiconductor layer composed of gallium arsenide or aluminum gallium arsenide and a low refractive index semiconductor layer composed of a III-V compound semiconductor including phosphorus is used. - 特許庁

被処理体の面内における温度を均一に保ち、アルミニウムと砒素を含む半導体層の酸化速度の面内均一性を高めることができる面発光型半導体レーザ製造用酸化装置、およびその面発光型半導体レーザ製造用酸化装置を用いることにより、品質の高い電流狭窄層を形成することができる面発光型半導体レーザの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an oxidation apparatus for manufacturing a surface-emitting type semiconductor laser for maintaining the temperature in the plane of a workpiece uniformly and enhancing the in-plane uniformity of the oxidation rate of a semiconductor layer including aluminum and arsenic, and provide a method of manufacturing the surface-emitting type semiconductor laser for forming a high-quality current constriction layer by using the oxidation apparatus for manufacturing the surface-emitting type semiconductor laser. - 特許庁

単結晶基板上に、Ｖ族元素として少なくとも窒素および砒素を含むIII−Ｖ族化合物半導体層を結晶成長させる工程を包含し、該化合物半導体層を結晶成長させる工程が、窒素原料がアルミニウムと、少なくとも該化合物半導体層の結晶成長表面で相互作用するように、該単結晶基板上に窒素原料を供給する工程を包含する。例文帳に追加

A process where an III-V compound semiconductor layer comprising at least nitrogen and arsenic as group V elements is crystal-grown on a single crystal substrate is comprised, which comprises a process where a nitrogen material is supplied on the single crystal substrate so that the nitrogen material at least interacts with an aluminum on the crystal growth surface of the compound semiconductor layer. - 特許庁