砒化インジウムの英語

ガリウム砒素、ガリウムリン、インジウムリンなどの原料化合物を効率よく低コストで処理する。例文帳に追加

To efficiently treat a raw-material compound, such as gallium arsenide, gallium phosphide and indium phosphide, at low cost. - 特許庁

（二十）　アルミニウム、ガリウム若しくはインジウムの有機金属化合物又は燐、砒素若しくはアンチモンの有機化合物例文帳に追加

(xx) Organometallic compounds of aluminum, gallium, or indium, or organic compounds of phosphorus, arsenic, or antimony発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

窒化砒化ガリウムインジウム系エピタキシャルウェハ及びそれを用いたヘテロ電界効果トランジスタとその製造方法例文帳に追加

GALLIUM-INDIUM-NITRIDE-ARSENIDE BASED EPITAXIAL WAFER AND HETERO-FIELD EFFECT TRANSISTOR USING THE SAME, AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁

III−Ｖ族化合物半導体膜は、III族元素としてガリウム及びインジウムを含むと共に、Ｖ族元素として砒素、燐及び窒素を含む。例文帳に追加

The III-V compound semiconductor film contains gallium and indium as group III elements and arsenic, phosphorus, and nitride as group V elements. - 特許庁

第３の化合物半導体層２３ａ、２３ｂは、ガリウム元素、インジウム元素、窒素元素、砒素元素、及び燐元素を含む。例文帳に追加

The 3rd compound semiconductor layers 23a and 23b contain gallium elements, indium elements, nitrogen elements, arsenic elements, and phosphorus elements. - 特許庁

本発明の半導体素子は、ガリウム砒素からなる基板１上に形成されるインジウム系化合物半導体薄膜を備えている。例文帳に追加

This semiconductor element is provided with: the indium-based compound semiconductor thin film formed on a substrate 1 made of a gallium arsenide. - 特許庁

３　主材料にＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体（砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。）を用いたもの（最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。）例文帳に追加

iii. Photocathodes which use a III-V compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less.)発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

３　主材料にＩＩＩ—ＩＶ族化合物半導体（砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。）を用いた光電陰極（最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。）例文帳に追加

iii. Photocathodes using a III-IV compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less)発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム