膜貫通部の英語

貫通孔７の金属膜７上には導電性部材１３を有する。例文帳に追加

A conductive member 13 is formed on the metal film 7 of the through hole 7. - 特許庁

半導体基板を貫通する第１の貫通孔をレーザ加工により形成し、第１の貫通孔の内部に絶縁性材料を充填し、絶縁性物質を貫通する第２の貫通孔を形成し、第２の貫通孔の内部に導電性材料を充填または第２の貫通孔の内表面に導電膜を形成する。例文帳に追加

A first pierced hole extending through the semiconductor substrate is bored by laser work to charge insulation material to the inside of the first pierced hole, and a second pierced hole extending through insulation substance is bored to charge conductive material to the inside of the second pierced hole or to form a conductive film on the inner surface of the second pierced hole. - 特許庁

貫通孔１０ｈを有する厚膜を、貫通孔を形成する部分を１か所以上含む仮の開口部１１ｈを有する厚膜１１を形成する開口部形成工程と、仮の開口部１１ｈの内部に、貫通孔１２ｈを残して厚膜１２を形成する貫通孔形成工程とにより作製する。例文帳に追加

A thick film having through-holes 10h is formed by an aperture formation process for forming a thick film 11 which has temporary apertures 11h containing one or more portions for forming through-holes, and by a through-hole formation process for forming a thick film 12 while leaving through-holes 12h in the inside of the temporary apertures 11h. - 特許庁

その後、貫通孔の内部を充たし且つ積層絶縁膜を覆う導電膜を形成して貫通孔内部に表面電極に接続された貫通電極を形成するとともに、積層絶縁膜上に裏面配線を形成する。例文帳に追加

Afterward, the inside of the through-hole is filled, and a conductive film covering the laminated insulating film is formed, and the through-electrode connected to the surface electrode is formed inside the through-hole, and back wiring is formed on the laminated insulating film. - 特許庁

そして、第１の樹脂膜１７Ｂ１を貫通して底部から第１の配線層１８Ａを露出させる第１の貫通孔を形成する。例文帳に追加

Then, a first penetrating hole is formed by penetrating the first resin film 17B1 so as to expose the first wiring layer 18A from the bottom. - 特許庁

次に、走査型電子顕微鏡により第１の絶縁膜１２を貫通していない未貫通孔部１３Ａが生じているか否かを検査する。例文帳に追加

The method further includes a step of then inspecting whether a non-through hole 13A which is not penetrating through the film 12, is generated or not by a scanning electron microscope. - 特許庁

貫通孔６２を貫通したピン４１と金属膜６２１とがはんだ付けされて、高圧アノード線保持部材６は固定される。例文帳に追加

The metallic film 621 and the pins 41 penetrated through the through-holes 62 are soldered to fix the high voltage anode line support member 6. - 特許庁

次に、貫通ホール２０ｂの側面上にトンネル絶縁膜２４を形成し、貫通ホール２０ｂの内部にシリコンピラーＳＰを埋設する。例文帳に追加

Next, a tunnel insulation film 24 is formed on a side face of the through-hole 20b, and a silicon peeler SP is embedded in the through-hole 20b. - 特許庁