自己形成量子ドットの英語

光導波路における光軸に垂直な断面内の自己形成型量子ドット４の密度を周辺部より中央部で大きくする。例文帳に追加

The density of the self-forming quantum dot 4 in a cross section which is vertical to an optical axis in an optical waveguide is made larger in a central part than in a peripheral part. - 特許庁

量子ドットは、分子ビームエピキタシによってGaAs基板上に成長させられたInGaAs量子井戸４０４に形成された自己組織化InAs量子ドット４０６である。例文帳に追加

The quantum dots are self-assembled InAs quantum dots 406 formed in InGaAs quantum wells 404 that are grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy. - 特許庁

本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。例文帳に追加

The method of forming the semiconductor quantum dot forms the semiconductor quantum dot by a self-organizing mechanism, wherein a layer is formed at ≥1 ML/s (monolayer per second) as a crystal growing rate of the quantum dot D and/or a crystal growing speed of a buried layer L4. - 特許庁

発光素子に、面内非均一な組成の量子井戸を有する自己組織化された量子ドットアクティベーション層を形成する発光素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a light-emitting device and a method for fabricating the same for forming self-assembled quantum dots as an active-region having quantum wells with in-plane non-uniform composition in the light-emitting device. - 特許庁

自己形成型量子ドット６Ａからなる活性層が形成され、一方の端面に高反射膜ＨＲが、また、他方の端面に低反射膜ＬＲが形成された半導体レーザであって、高反射膜ＨＲ側に於ける量子ドット６Ａの密度が低反射膜ＬＲ側に於ける量子ドット６Ａの密度に比較して大きいことを特徴とする。例文帳に追加

In the semiconductor laser, where the active layer is formed consisting of the self-formation quantum dots 6A, a high reflection film HR is formed on one end face and a low reflection film LR is formed on the other end face, the density of quantum dots 6A on the high reflection film HR side is larger than that of quantum dots 6A on the low reflection film LR side. - 特許庁

ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓバッファ層を形成し、ＧａＡｓバッファ層上に、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層を導入し、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層上に、ＩｎＡｓ量子ドットを自己形成する。例文帳に追加

A GaAs buffer layer is formed on a GaAs substrate, a GaSb_xAs_1-x (0<x≤1) layer is introduced onto the GaAs buffer, and InAs quantum dots are self-formed on the a GaSb_xAs_1-x (0<x≤1) layer. - 特許庁

カーボンナノチューブや量子ドット等の微細な構造に対して自己整合的に電極を形成することを可能とする電極製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of an electrode, which permits to form an electrode through self-alignment process with respect to the detailed structure of a carbon nanotube, a quantum dot or the like. - 特許庁

該トラップ層１３は、ＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓ層の上にＩｎＡｓ層を成長する場合に、ＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓ層の上に、ＩｎＡｓからなる量子ドットが自己組織的に形成される。例文帳に追加

In the trap layer 13, when an InAs layer grows on a GaAs layer or InGaAs layer, quantum dots of InAs are formed in a self-organized manner on the GaAs or InGaAs layer. - 特許庁