「自己形成量子ドット」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

不純物を含有しない自己形成量子ドット２が不純物を含有したｐ型濡れ層１に接して形成されている。例文帳に追加

A self-formed quantum dot 2 containing no impurity is formed in contact with a p-type wetting layer. - 特許庁

自己形成型量子ドットを用いた半導体発光素子に関し、活性層を直接エッチングすることなく横モードを制御する。例文帳に追加

To control a transverse mode without etching an active layer directly regarding a semiconductor light emitting element using a self-forming quantum dot. - 特許庁

光導波路における光軸に垂直な断面内の自己形成型量子ドット４の密度を周辺部より中央部で大きくする。例文帳に追加

The density of the self-forming quantum dot 4 in a cross section which is vertical to an optical axis in an optical waveguide is made larger in a central part than in a peripheral part. - 特許庁

量子ドットは、分子ビームエピキタシによってGaAs基板上に成長させられたInGaAs量子井戸４０４に形成された自己組織化InAs量子ドット４０６である。例文帳に追加

The quantum dots are self-assembled InAs quantum dots 406 formed in InGaAs quantum wells 404 that are grown on a GaAs substrate by molecular beam epitaxy. - 特許庁

本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。例文帳に追加

The method of forming the semiconductor quantum dot forms the semiconductor quantum dot by a self-organizing mechanism, wherein a layer is formed at ≥1 ML/s (monolayer per second) as a crystal growing rate of the quantum dot D and/or a crystal growing speed of a buried layer L4. - 特許庁

発光素子に、面内非均一な組成の量子井戸を有する自己組織化された量子ドットアクティベーション層を形成する発光素子及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a light-emitting device and a method for fabricating the same for forming self-assembled quantum dots as an active-region having quantum wells with in-plane non-uniform composition in the light-emitting device. - 特許庁

自己形成型量子ドット６Ａからなる活性層が形成され、一方の端面に高反射膜ＨＲが、また、他方の端面に低反射膜ＬＲが形成された半導体レーザであって、高反射膜ＨＲ側に於ける量子ドット６Ａの密度が低反射膜ＬＲ側に於ける量子ドット６Ａの密度に比較して大きいことを特徴とする。例文帳に追加

In the semiconductor laser, where the active layer is formed consisting of the self-formation quantum dots 6A, a high reflection film HR is formed on one end face and a low reflection film LR is formed on the other end face, the density of quantum dots 6A on the high reflection film HR side is larger than that of quantum dots 6A on the low reflection film LR side. - 特許庁

ＧａＡｓ基板上に、ＧａＡｓバッファ層を形成し、ＧａＡｓバッファ層上に、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層を導入し、ＧａＳｂ_ｘＡｓ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）層上に、ＩｎＡｓ量子ドットを自己形成する。例文帳に追加

A GaAs buffer layer is formed on a GaAs substrate, a GaSb_xAs_1-x (0<x≤1) layer is introduced onto the GaAs buffer, and InAs quantum dots are self-formed on the a GaSb_xAs_1-x (0<x≤1) layer. - 特許庁

カーボンナノチューブや量子ドット等の微細な構造に対して自己整合的に電極を形成することを可能とする電極製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of an electrode, which permits to form an electrode through self-alignment process with respect to the detailed structure of a carbon nanotube, a quantum dot or the like. - 特許庁

該トラップ層１３は、ＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓ層の上にＩｎＡｓ層を成長する場合に、ＧａＡｓ層又はＩｎＧａＡｓ層の上に、ＩｎＡｓからなる量子ドットが自己組織的に形成される。例文帳に追加

In the trap layer 13, when an InAs layer grows on a GaAs layer or InGaAs layer, quantum dots of InAs are formed in a self-organized manner on the GaAs or InGaAs layer. - 特許庁

たとえば、アンチモン（Ｓｂ）の組成ｘをｘ＝１にして、０．２４〜１．５２ＭＬ厚のＧａＳｂ層を導入する場合は、ＧａＳｂ層上にＩｎＡｓ量子ドットを、１．１×１０^11ｃｍ^-2以上のドット密度で、高均一に自己形成できる。例文帳に追加

For example, in the case of introducing a GaSb layer with 0.24 to 1.52 ML thickness with a composition x (x=1) of antimony (Sb) to the GaAs buffer layer, the InAs quantum dots can be self-formed on the GaSb layer with a high uniformity with a dot density of 1.1×10^11cm^-2 or over. - 特許庁

ｐ形半導体より成る基板１０と、基板上に形成され、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された三次元成長島より成る量子ドット層１８を複数層積層して成る活性層２０と、活性層上に形成されたｎ形半導体層２２とを有している。例文帳に追加

The light emitting element includes a substrate 10 made of a p-type semiconductor, an active layer 20 formed on the substrate and formed by laminating a plurality of layers of quantum dot layers 18 each made of a three-dimensional growth island in which self-formation is performed with an S-K mode, and an n-type semiconductor layer 22 formed on the active layer. - 特許庁

半導体基板１上に複数の２元化合物半導体の分子層の整数倍が交互に積層された短周期超格子構造層４を設けるとともに、短周期超格子構造層４上に自己形成型量子ドット５を設ける。例文帳に追加

A short-period superlattice structure layer 4 in which an integral multiple of a plurality of two-dimensional compound semiconductor molecular layers are alternately laminated is provided on a semiconductor substrate 1, and in addition the self-forming quantum dot 5 is provided on the structure layer 4. - 特許庁

半導体レーザに関し、自己形成型量子ドットからなる活性層をもつ半導体レーザに改変を加える旨の簡単な手段を採ることで、共振器方向に電流を不均一に注入することを可能にし、従来のように、１つのレーザに対し、２つ以上の電極を形成したり、２つ以上の電源を用いるなどの複雑な構成を不要にしようとする。例文帳に追加

To eliminate the need for a complex constitution such that two or more electrodes formed or two or more power sources are used for a single laser as in a conventional semiconductor laser, and enabling current to be injected nonuniformly in the direction of the resonator, by adopting a simple means of modifying the conventional semiconductor layer to a semiconductor layer, having an active layer consisting of self-formed quantum dots. - 特許庁