酸素析出の英語

ＩＧを経たウェーハ素材３３のＢＭＤ層３４に酸素析出核を高密度に形成する酸素析出核形成処理（酸素析出核形成工程）を行う。例文帳に追加

An oxygen deposition nucleus formation process is carried out to form oxygen deposition nuclei in high concentration in the BMD layer 34 of a wafer material 33 after going through IG. - 特許庁

酸素クラスターおよび酸素析出物が溶解されているチョクラルスキー単結晶シリコンウエハならびにその製造方法を提供すること；および酸素析出熱処理に供されたときに酸素析出物または酸素クラスターが形成されないそのようなウエハを提供すること。例文帳に追加

To provide a Czochralski single crystal silicon wafer, in which oxygen clusters and precipitates have been dissolved and its manufacturing method, and to provide such a wafer which will not form oxygen precipitates or clusters upon being subjected to an oxygen precipitation heat treatment. - 特許庁

本発明の一例は、酸素イオンを注入し熱処理をすることによって作成された酸素析出核を層状に形成した酸素析出層１４を、半導体中に含まれる重金属汚染不純物に対するゲッタリング層とする。例文帳に追加

As one example, an oxygen precipitation layer 14 forming in layers the precipitation of oxygen nucleus created by heat treating by pouring oxygen ion is used as a gettering layer to the heavy metal contamination dopant contained in a semiconductor. - 特許庁

特定の測定装置により検出可能な酸素析出物の下限サイズより小さな酸素析出物を含有するシリコンウエーハに、新たな酸素析出物を発生させることなく酸素析出物を成長させる熱処理を加えて、前記下限サイズより小さな酸素析出物のすべてを前記特定の測定装置により検出可能なサイズに成長させた後に、前記シリコンウエーハ中の酸素析出物密度を前記特定の測定装置により測定するシリコンウエーハの評価方法。例文帳に追加

The silicon wafer evaluating method comprises heat treating of a silicon wafer containing oxygen deposits which are smaller than a lower limit of oxygen deposits detectable by a specific measuring instrument, thereby growing all the oxygen deposits smaller than the lower limit size, up to a size detectable by the specific measuring instrument, without producing new oxygen deposits, and measuring the density of the oxygen deposits in the silicon wafer to evaluate it. - 特許庁

しかも、剥離熱処理時の熱により酸素析出物も析出し、水蒸気バブルによる活性層用ウェーハ１０の剥離を増長させる。例文帳に追加

Also, oxygen deposits are deposited as well by the heat at the time of the exfoliation heat treatment, and the exfoliation of the wafer 10 for the active layer by the steam bubbles is accelerated. - 特許庁

ＳＯＩ層１３と隣接するので、酸素析出層１４のゲッタリング効果を高めることができる。例文帳に追加

Since the SOI layer 13 is adjoined, the gettering effect of the oxygen precipitation layer 14 can be raised. - 特許庁

この酸素析出層１４がＳＯＩ層１３と酸化絶縁膜層１２に隣接して存在する。例文帳に追加

This oxygen precipitation layer 14 exists adjacent to the SOI layer 13 and the oxidation insulating layer 12. - 特許庁

すると、ここから酸素もしくは窒素が脱離し、表層にシリコンが析出する。例文帳に追加

This causes oxygen or nitrogen to desorb, whereby silicon is precipitated on a surface layer. - 特許庁