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oxygen precipitationとは 意味・読み方・使い方
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「oxygen precipitation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 41件
When the wafer is then heated at 750-1,100°C, oxygen is trapped by the oxygen-precipitation core inside the wafer, and an oxygen deposit grows.例文帳に追加
次にウェーハを750〜1100℃で加熱するとウェーハ内部の酸素析出核に酸素が捕獲され、酸素析出物が成長する。 - 特許庁
As one example, an oxygen precipitation layer 14 forming in layers the precipitation of oxygen nucleus created by heat treating by pouring oxygen ion is used as a gettering layer to the heavy metal contamination dopant contained in a semiconductor.例文帳に追加
本発明の一例は、酸素イオンを注入し熱処理をすることによって作成された酸素析出核を層状に形成した酸素析出層14を、半導体中に含まれる重金属汚染不純物に対するゲッタリング層とする。 - 特許庁
Since the SOI layer 13 is adjoined, the gettering effect of the oxygen precipitation layer 14 can be raised.例文帳に追加
SOI層13と隣接するので、酸素析出層14のゲッタリング効果を高めることができる。 - 特許庁
This oxygen precipitation layer 14 exists adjacent to the SOI layer 13 and the oxidation insulating layer 12.例文帳に追加
この酸素析出層14がSOI層13と酸化絶縁膜層12に隣接して存在する。 - 特許庁
METHOD FOR SIMULATING DENSITY DISTRIBUTION AND SIZE DISTRIBUTION OF OXYGEN PRECIPITATION NUCLEI IN SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
単結晶内酸素析出核の密度分布及びサイズ分布のシミュレーション方法 - 特許庁
To provide an annealed water in which the oxygen precipitation is uniform in the substrate surface, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加
酸素析出が基板面内で均一なアニールウエハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The low-oxygen silicon wafer is low-temperature heat-treated at 550-800°C and high-temperature heat-treated at 1,000-1,200°C after a oxygen- precipitation core is produced in the wafer.例文帳に追加
低酸素シリコンウェーハを550〜800℃で低温熱処理し、ウェーハ中に酸素析出核を生成後1000〜1200℃で高温熱処理する。 - 特許庁
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「oxygen precipitation」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 41件
To provide a processing method of wafer for making a silicon wafer having a precipitation of oxygen density optimal for a device by controlling increase/decrease in precipitation of oxygen density even in a low temperature process.例文帳に追加
低温プロセスにおいても酸素析出物密度の増大/減少を制御し、デバイスにとって最適の酸素析出密度を持つシリコンウェーハを作成するウェーハ処理方法を提供する。 - 特許庁
When a sample in which defects are formed as precipitation of oxygen by heat treatment is etched by anisotropic etching at a high selectivity ratio against SiO2, conical projections having the defects as precipitation of oxygen on their tops are formed as etching residues.例文帳に追加
酸素析出欠陥等の結晶欠陥に対して選択比の大きい条件で異方性エッチングを行い、Secco液等によるエッチングでは検出できない微小な欠陥を精度良くかつ簡単に検出する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an epitaxial wafer in which oxygen precipitation occurs uniformly in the substrate surface and the epitaxial layer has excellent crystal quality.例文帳に追加
酸素析出が基板面内で均一に発生し、エピ層の結晶品質に優れたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
A silicon wafer 1 includes an oxygen precipitate layer 4, the depth of the DZ layer 5 from the surface of the wafer to the oxygen precipitate layer 4 is 2 to 10 μm and the oxygen precipitation density of the oxygen precipitate layer 4 is 5×10^7precipitates/cm^3 or more.例文帳に追加
酸素析出物層4を有するシリコンウェーハ1であって、該ウェーハの表面から酸素析出物層4に至るまでのDZ層5の深さを2〜10μm、かつ該酸素析出物層4の酸素析出物密度を5×10^7個/cm^3以上とする。 - 特許庁
To execute an adequate dissolved oxygen control by precisely measuring the quantity of the dissolved oxygen within an aeration tank, and to prevent the destruction of precipitation of a floc by overaeration.例文帳に追加
エアレーションタンク内の溶存酸素量をより適切に測定し、より適切な溶存酸素制御を遂行すると共に、過曝気による沈降性フロックの破壊を防止する。 - 特許庁
Thereby, the oxygen in the surface layer of the wafer is diffused from the wafer surface to the outside, the oxygen- precipitation core is stabilized (more than a critical core), and the DZ layer is produced.例文帳に追加
よってウェーハ表層の酸素がウェーハ表面から外方拡散され、酸素析出核が安定化(臨界核以上)し、DZ層11が現出する。 - 特許庁
To provide an excellent oxygen occluding material which can be obtained by forming a co-precipitation material from cerium and at least one second metal M^1, finally drying and calcining the co-precipitation material to form an oxide particle mixture (a Ce/M^1 oxide particle mixture) from cerium and the second metal M^1.例文帳に追加
セリウムと少なくとももう1種の金属M^1とから共沈物を形成し、最終的に共沈物を乾燥及びか焼し、セリウムと他の金属M^1とから混合酸化物粒子(Ce/M^1混合酸化物粒子)を形成することにより得られる優れた酸素吸蔵材料を提供する。 - 特許庁
To provide a Czochralski single crystal silicon wafer, in which oxygen clusters and precipitates have been dissolved and its manufacturing method, and to provide such a wafer which will not form oxygen precipitates or clusters upon being subjected to an oxygen precipitation heat treatment.例文帳に追加
酸素クラスターおよび酸素析出物が溶解されているチョクラルスキー単結晶シリコンウエハならびにその製造方法を提供すること;および酸素析出熱処理に供されたときに酸素析出物または酸素クラスターが形成されないそのようなウエハを提供すること。 - 特許庁
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