酸素欠陥の英語

酸素イオンが注入されるシリコン基板は、ボイド欠陥又はＣＯＰからなる結晶欠陥密度が１×１０^5ｃｍ^-3以上でありかつ結晶欠陥のサイズ分布の最大頻度が０．１２μｍ以下であることが好ましい。例文帳に追加

The oxygen ion-implanted silicon substrate has preferably a void defect or COP crystal defect density of ≥1×10^5 cm^-3, and a maximum frequency of ≤0.12 μm in the crystal defect size distribution. - 特許庁

酸素析出欠陥等の結晶欠陥に対して選択比の大きい条件で異方性エッチングを行い、Secco液等によるエッチングでは検出できない微小な欠陥を精度良くかつ簡単に検出する。例文帳に追加

When a sample in which defects are formed as precipitation of oxygen by heat treatment is etched by anisotropic etching at a high selectivity ratio against SiO2, conical projections having the defects as precipitation of oxygen on their tops are formed as etching residues. - 特許庁

前記抵抗体層１４は、酸素欠陥を有する遷移金属酸化物からなる。例文帳に追加

The resistor layer 14 comprises a transition metal oxide having insufficient oxygen. - 特許庁

酸素を含む基体であっても、欠陥の非常に少ない半導体層を成長させる。例文帳に追加

To grow a semiconductor layer, with which defects are very mach reduced, even on a substrate which contains oxygen. - 特許庁

酸素起因欠陥が高密度に発生したシリコンウェーハであっても、酸素起因欠陥に影響されずに、シリコンウェーハ中の鉄濃度を高精度に測定する。例文帳に追加

To measure with higher accuracy iron concentration in a silicon wafer without influence of a defect resulting from oxygen even in the case of the silicon wafer where the defect resulting from oxygen is generated in higher density. - 特許庁

酸化物半導体層に酸素欠陥誘起因子を導入することによって、酸化物半導体層にドナーとして機能する酸素欠陥を効果的に形成することができる。例文帳に追加

An oxygen vacancy serving as a donor can be effectively formed in the oxide semiconductor layer by introducing the oxygen-vacancy-inducing factors into the oxide semiconductor layer. - 特許庁

表面に適度の濃度の酸素が残存し、空孔欠陥や微小酸素析出物等が消失した無欠陥層を有し、しかもゲッタリング能力をも発揮し得るシリコンウェーハを提供する。例文帳に追加

To provide a silicon wafer having a non-defective layer on whose surface oxygen of moderate concentration remains and from which void defects and fine oxygen precipitate and the like are dissipated, and further, which can exhibit a gettering capability. - 特許庁

例えば、酸素析出欠陥の存在するシリコンウエハを試料としてこれを対酸化物選択比の大きい条件でエッチングすることで、エッチングされにくい酸素析出欠陥を頂点として円錐状エッチング残渣を得る。例文帳に追加

When the number of the residues is counted by means of a data processor, particle counter, etc., under an optical microscope, the density of the defects as precipitation of oxygen in the etched sample can be found. - 特許庁