障壁容量の英語

可変容量ダイオード１１と、同調周波数近傍で容量性の特性を示す先端開放スタブ（容量性スタブ）１５と、共振周波数近傍で開放となり、かつ、前記可変容量素子の障壁電位を与えるための基準電圧印加回路とを備える。例文帳に追加

The oscillator has a variable capacitance diode 11, a distal end open stub (capacitive stub) 15 indicating capacitive characteristics near a tuning frequency, and a reference voltage applying circuit becoming an open state near an oscillation frequency and for providing barrier potential of the variable capacitive element. - 特許庁

電荷障壁層の厚さに敏感でなく、電荷障壁層の絶縁膜に欠陥を誘起することなく、低電圧で書き込み読み出しができ、高価な材料を用いる必要がなく、将来の大容量メモリの製造コストを格段に引き下げることができる記憶素子を実現する。例文帳に追加

To provide a memory device which is not sensitive to the thickness of a charge barrier layer and never induces defects in an insulation film of the charge barrier layer and can write/read at a low voltage and never requires an expensive material and can remarkably reduce the manufacturing cost of a future large-capacity memory. - 特許庁

以上により、チップサイズの増大させることなく、電流容量が増大され、順方向電圧が低減されたショットキ障壁を有するダイオードを得ることができる。例文帳に追加

Consequently the diode having a Schottky barrier by which the current capacity is increased without increasing the chip size and forward voltage is reduced can be obtained. - 特許庁

ショットキ障壁とＰＮ接合の整流部分とを隣接して配置した半導体素子において、高い電流容量を確保しつつ、漏れ電流を低減可能な半導体素子を提供する。例文帳に追加

To reduce leak current while ensuring a high current capacity in a semiconductor element where Schottky barrier and the rectifying part of a PN junction are arranged contiguously to each other. - 特許庁

このような半導体メモリ装置及びその製造方法は、ストレージ電極用導電膜を薄く形成し、エッチングがよくできる障壁膜を静電容量確保のため導電膜より相対的に厚く形成することによりストレージ電極形成のための乾式エッチング時遷移金属のストレージ電極の側面蒸着が最小化でき、ストレージ電極間のブリッジが防止できる。例文帳に追加

The second conductive film 114 is formed of barium, strontium or the like relatively thinner than the first conductive film 110, that is, in the thickness of 100-1000 Å. - 特許庁