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barrier capacitanceとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 障壁容量
「barrier capacitance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 38件
In addition, because the diffusion barrier is not used, an extra wiring capacitance is not added.例文帳に追加
また、拡散バリアを用いないため、余分の配線容量は加わらない。 - 特許庁
To surely improve the barrier property of an iridium oxide film contained in the lower electrode of a capacitance element as an oxygen barrier film.例文帳に追加
容量素子の下部電極が酸素バリア膜として有している酸化イリジウム膜のバリア性を確実に向上させる。 - 特許庁
To provide a method for evaluating the water vapor barrier properties of a barrier film or an electronic device using a capacitance type moisture sensor.例文帳に追加
電気容量型の水分センサを用いてバリアフィルムあるいは電子デバイスの水蒸気バリア性能を評価する方法を提供する。 - 特許庁
1st storage capacitance 70a is formed of a part of a semiconductor layer and the capacitance lines, 2nd storage capacitance 70b is formed of the capacitance lines and a part of a 1st barrier layer, and 3rd storage capacitance 70c is formed of a part of the semiconductor layer and the 1st shielding film, respectively.例文帳に追加
半導体層の一部及び容量線から第1蓄積容量(70a)、容量線及び第1バリア層の一部から第2蓄積容量(70b)、半導体層の一部及び第1遮光膜の一部から第3蓄積容量(70c)が夫々構築されている。 - 特許庁
To provide a horizontal Schottky barrier diode (SBD) semiconductor device which operates fast by reducing Schottky junction capacitance.例文帳に追加
ショットキー接合容量を低減し、高速動作が可能な横型SBD半導体装置を提供する。 - 特許庁
A first dielectric film 2 is interposed between a part of a semiconductor layer and the capacitance line to form a first storage capacitance 70a, and a second dielectric film 81 is interposed between the capacitance line and a part of the barrier layer to form a second storage capacitance 70b.例文帳に追加
半導体層の一部と容量線が第1誘電体膜(2)を挟持して第1蓄積容量(70a)を構成し、容量線とバリア層の一部が第2誘電体膜(81)を挟持して第2蓄積容量(70b)を構成する。 - 特許庁
A barrier destroyed by cracks or humidity absorption/oxidation shows deviation in the capacitance/resistance.例文帳に追加
クラックあるいは吸湿/酸化によって破壊されたバリアは、キャパシタンスおよび/または抵抗の偏差を示すことになる。 - 特許庁
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「barrier capacitance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 38件
To provide a structure of a hydrogen barrier film for preventing deterioration in capacitance element characteristic by hydrogen in a semiconductor storage device provided with a capacitance element using a ferroelectric material.例文帳に追加
強誘電体を用いた容量素子を備えた半導体記憶装置において、水素による容量素子特性の劣化を防止できる水素バリア膜の構造を提供する。 - 特許庁
An upper side oxygen barrier layer 109A composed of a metal having conductivity even when oxidized is formed on the oxygen barrier layer 108A, the capacitance lower electrode 110A is formed on the upper side oxygen barrier layer 109A and the peripheral surfaces of the oxygen barrier layer 108A, the upper side oxygen barrier layer 109A and the capacitance lower electrode 110A are covered with a second protective insulation film 111.例文帳に追加
酸素バリア層108Aの上には酸化されても導電性を有する金属からなる上側酸素バリア層109Aが形成され、上側酸素バリア層109Aの上には容量下部電極110Aが形成され、酸素バリア層108A、上側酸素バリア層109A及び容量下部電極110Aの周面は第2の保護絶縁膜111により覆われている。 - 特許庁
To realize a high performance Schottky barrier diode improved to avoid parasitic capacitance increase and lowering reverse breakdown voltage drop.例文帳に追加
寄生容量の増加の防止と逆方向耐圧の低下の防止を図った高性能なショットキーバリアダイオードを実現する。 - 特許庁
To securely prevent reduction of an oxygen barrier when a capacitance insulating film is crystallized in a semiconductor device having the capacitance insulating film using ferroelectric or high dielectric.例文帳に追加
強誘電体又は高誘電体を用いた容量絶縁膜を有する半導体装置において、容量絶縁膜の結晶化時に酸素バリアが還元されることを確実に防止する。 - 特許庁
To prevent deterioration due to hydrogen of a capacitance insulating film forming a capacitor with a lower hydrogen barrier film and an upper hydrogen barrier film covering the circumference of the capacitor, and to prevent increase of an area of a capacitor formation region with a connection part between the lower hydrogen barrier film and the upper hydrogen barrier film.例文帳に追加
キャパシタの周囲を覆う下部水素バリア膜と上部水素バリア膜とによって、キャパシタを構成する容量絶縁膜の水素による劣化を防止すると共に、下部水素バリア膜と上部水素バリア膜との接続部によるキャパシタ形成領域の面積の増大を防止できるようにする。 - 特許庁
The storage capacitance is constructed by oppositely arranging a first capacitance electrode (13) made up with a same film of the scanning lines and a second capacitance electrode (33) made up with the same film as a barrier layer (34), that relay connects the pixel electrodes and the TFTs, through a dielectric film (42).例文帳に追加
蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第1容量電極(13)と、画素電極及びTFT間を中継接続するバリア層(34)と同一膜からなる第2容量電極(33)とが、誘電体膜(42)を介して対向配置されてなる。 - 特許庁
To prevent the oxygen barrier of an oxygen barrier film from deteriorating even if thermal treatment takes place in an environment of high temperature oxygen that crystallizes a dielectric film to be a capacitance insulating film in a semiconductor device.例文帳に追加
半導体装置の容量絶縁膜となる誘電体薄膜を結晶化させる高温酸素雰囲気中の熱処理を行った場合にも、酸素バリア膜の酸素バリア性の劣化を防止する。 - 特許庁
By housing the capacitor 13 in the lens barrier 4, a large-capacitance battery 20 is housed in free space formed in the camera body 3.例文帳に追加
コンデンサ13をレンズバリア4に収納することによりカメラ本体3内に形成された空きスペースには、大容量の電池20を収納する。 - 特許庁
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