「barrier capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A first dielectric film 2 is interposed between a part of a semiconductor layer and the capacitance line to form a first storage capacitance 70a, and a second dielectric film 81 is interposed between the capacitance line and a part of the barrier layer to form a second storage capacitance 70b.例文帳に追加

半導体層の一部と容量線が第１誘電体膜（２）を挟持して第１蓄積容量（７０ａ）を構成し、容量線とバリア層の一部が第２誘電体膜（８１）を挟持して第２蓄積容量（７０ｂ）を構成する。 - 特許庁

A barrier destroyed by cracks or humidity absorption/oxidation shows deviation in the capacitance/resistance.例文帳に追加

クラックあるいは吸湿／酸化によって破壊されたバリアは、キャパシタンスおよび／または抵抗の偏差を示すことになる。 - 特許庁

To provide a structure of a hydrogen barrier film for preventing deterioration in capacitance element characteristic by hydrogen in a semiconductor storage device provided with a capacitance element using a ferroelectric material.例文帳に追加

強誘電体を用いた容量素子を備えた半導体記憶装置において、水素による容量素子特性の劣化を防止できる水素バリア膜の構造を提供する。 - 特許庁

An upper side oxygen barrier layer 109A composed of a metal having conductivity even when oxidized is formed on the oxygen barrier layer 108A, the capacitance lower electrode 110A is formed on the upper side oxygen barrier layer 109A and the peripheral surfaces of the oxygen barrier layer 108A, the upper side oxygen barrier layer 109A and the capacitance lower electrode 110A are covered with a second protective insulation film 111.例文帳に追加

酸素バリア層１０８Ａの上には酸化されても導電性を有する金属からなる上側酸素バリア層１０９Ａが形成され、上側酸素バリア層１０９Ａの上には容量下部電極１１０Ａが形成され、酸素バリア層１０８Ａ、上側酸素バリア層１０９Ａ及び容量下部電極１１０Ａの周面は第２の保護絶縁膜１１１により覆われている。 - 特許庁

To realize a high performance Schottky barrier diode improved to avoid parasitic capacitance increase and lowering reverse breakdown voltage drop.例文帳に追加

寄生容量の増加の防止と逆方向耐圧の低下の防止を図った高性能なショットキーバリアダイオードを実現する。 - 特許庁

To securely prevent reduction of an oxygen barrier when a capacitance insulating film is crystallized in a semiconductor device having the capacitance insulating film using ferroelectric or high dielectric.例文帳に追加

強誘電体又は高誘電体を用いた容量絶縁膜を有する半導体装置において、容量絶縁膜の結晶化時に酸素バリアが還元されることを確実に防止する。 - 特許庁

To prevent deterioration due to hydrogen of a capacitance insulating film forming a capacitor with a lower hydrogen barrier film and an upper hydrogen barrier film covering the circumference of the capacitor, and to prevent increase of an area of a capacitor formation region with a connection part between the lower hydrogen barrier film and the upper hydrogen barrier film.例文帳に追加

キャパシタの周囲を覆う下部水素バリア膜と上部水素バリア膜とによって、キャパシタを構成する容量絶縁膜の水素による劣化を防止すると共に、下部水素バリア膜と上部水素バリア膜との接続部によるキャパシタ形成領域の面積の増大を防止できるようにする。 - 特許庁

The storage capacitance is constructed by oppositely arranging a first capacitance electrode (13) made up with a same film of the scanning lines and a second capacitance electrode (33) made up with the same film as a barrier layer (34), that relay connects the pixel electrodes and the TFTs, through a dielectric film (42).例文帳に追加

蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第１容量電極（１３）と、画素電極及びＴＦＴ間を中継接続するバリア層（３４）と同一膜からなる第２容量電極（３３）とが、誘電体膜（４２）を介して対向配置されてなる。 - 特許庁

To prevent the oxygen barrier of an oxygen barrier film from deteriorating even if thermal treatment takes place in an environment of high temperature oxygen that crystallizes a dielectric film to be a capacitance insulating film in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の容量絶縁膜となる誘電体薄膜を結晶化させる高温酸素雰囲気中の熱処理を行った場合にも、酸素バリア膜の酸素バリア性の劣化を防止する。 - 特許庁

By housing the capacitor 13 in the lens barrier 4, a large-capacitance battery 20 is housed in free space formed in the camera body 3.例文帳に追加

コンデンサ１３をレンズバリア４に収納することによりカメラ本体３内に形成された空きスペースには、大容量の電池２０を収納する。 - 特許庁

The device is further provided with a barrier layer (80) for relay-connecting the pixel electrodes to the TFTs and 1st capacitance lines (82).例文帳に追加

画素電極とＴＦＴとを中継接続するバリア層（８０）と、このバリア層と同一膜からなる第１容量線（８２）とを更に備える。 - 特許庁

In the storage capacitance, a first capacitance electrode (13) which is formed of the same film as that of the scanning lines and a second capacitance electrode (33) formed of the same film as that of a barrier layer (34) for relay-connecting between the pixel electrode and the TFT are arranged facing each other through a dielectric film (42).例文帳に追加

蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第１容量電極（１３）と、画素電極及びＴＦＴ間を中継接続するバリア層（３４）と同一膜からなる第２容量電極（３３）とが、誘電体膜（４２）を介して対向配置されてなる。 - 特許庁

To provide a method for forming a bit line of a semiconductor device preventing an increase in bit line resistance due to a barrier metal, and an increase in capacitance.例文帳に追加

バリアメタル層によるビットライン抵抗値の増加および静電容量値の増加を防止することが可能な半導体素子のビットライン形成方法の提供。 - 特許庁

To carry out alloying like cobalt silicide after gate electrodes formation, and to prevent an increase in capacitance between gates even if a barrier insulating film is formed.例文帳に追加

ゲート電極形成後にコバルトシリサイドのような合金化をすると共に、バリア絶縁膜を設ける構成の場合でも、ゲート間容量の増大を防止する。 - 特許庁

The lower electrode 16 of the capacitance element is formed on the insulating film 14 so that the electrode 16 may be connected to the plug 15 and the electrode 16 is constituted of a first-conductivity barrier film 16a, a second-conductivity iridium oxide barrier film (oxygen barrier film) 16b, and a metallic film 16c.例文帳に追加

層間絶縁膜１４の上にはコンタクトプラグ１５と接続されるように容量素子の下部電極１６が形成されており、該下部電極１６は、第１の導電性バリア膜１６ａ、酸化イリジウム膜よりなる第２の導電性バリア膜（酸素バリア膜）１６ｂ及び金属膜１６ｃより構成されている。 - 特許庁

The lower electrode 16 of the capacitance element is formed on the insulating film 14 so that the electrode 16 may be connected to the plug 15, and the electrode 16 is constituted of a first-conductivity barrier film 16a, a second-conductivity barrier film (oxygen barrier film) 16b consisting of the iridium oxide film, and a metallic film 16c.例文帳に追加

層間絶縁膜１４の上にはコンタクトプラグ１５と接続されるように容量素子の下部電極１６が形成されており、該下部電極１６は、第１の導電性バリア膜１６ａ、酸化イリジウム膜よりなる第２の導電性バリア膜（酸素バリア膜）１６ｂ及び金属膜１６ｃより構成されている。 - 特許庁

The detection circuit 1 comprises a slot line 2 receiving an RF signal S, DC cut lines 3-1 and 3-2 forming a capacitance, a resistor 5 and a Schottky barrier diode 6.例文帳に追加

検波回路１はＲＦ信号Ｓを入力するスロット線路２と容量を形成するＤＣカットライン３−１，３−２と抵抗５と整流用のショットキーバリアダイオード６とを備える。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with an active element 2, a storage capacitance part connected to the active element 2 and having a high ferroelectric film 9, and an insulating film formed as a diffusion barrier for suppressing the diffusion of hydrogen into the storage capacitance part.例文帳に追加

能動素子２と、能動素子２に接続される高強誘電体膜９を有する蓄積容量部と、前記蓄積容量部への水素の拡散を抑制するための拡散バリア層として設けられた絶縁膜とを具備することを特徴とする半導体記憶装置。 - 特許庁

Since the capacitance insulating film comprises the laminate film consisting of the hafnium oxide films 102, 104 of the first and third layers having a great barrier height, and the hafnium oxide film 103 of the second layer having a great dielectric constant, it is possible to materialize the capacitor having a small leakage current and a large capacitance.例文帳に追加

容量絶縁膜は、バリアハイトの大きな第１層、第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０４と、誘電率の大きな第２層のハフニウム酸化膜１０３との積層膜で構成されるため、リーク電流が小さく、かつ容量の大きなキャパシタが実現できる。 - 特許庁

The sensor device includes a pressure-sensitive sensor which changes shape in response to pressing of an operation tool and which detects change in capacitance due to the change in shape, and a barrier which covers at least a part of the pressure-sensitive sensor and which interrupts change in capacitance of the pressure-sensitive sensor due to capacitive coupling that occurs with approach between the pressure-sensitive sensor and the operation tool.例文帳に追加

操作子の押圧に応じて変形し、上記変形による静電容量の変化を検出する感圧センサと、当該感圧センサの少なくとも一部を覆い、上記感圧センサと上記操作子との接近に伴う容量結合による、上記感圧センサの静電容量の変化を遮る遮断体と、を備える、センサ装置。 - 特許庁

The capacitance insulation film 112 common to a plurality of ferrodielectric material capacitors allocated in the word line direction is formed on the lower electrode 109 and the first insulation hydrogen barrier film 111, the upper electrode 113 common to a plurality of ferrodielectric material capacitors allocated in the word line direction is formed on the common capacitance insulation film 112, and a second insulation hydrogen barrier film 115 is formed on the common upper electrode 113.例文帳に追加

下部電極１０９及び第１の絶縁性水素バリア膜１１１の上には、ワード線方向に並ぶ複数の強誘電体キャパシタに共通の容量絶縁膜１１２が形成され、該共通の容量絶縁膜１１２の上には、ワード線方向に並ぶ複数の強誘電体キャパシタに共通の上部電極１１３が形成され、該共通の上部電極１１３の上には第２の絶縁性水素バリア膜１１５が形成されている。 - 特許庁

Thereto, other barriers are constituted so as to give crack stop protection, to be electrically connected to a monitoring device and so as to test the capacitance/resistance of the barrier structure to show the complete states of the barriers to a user.例文帳に追加

さらに他のバリアは、クラックストップ保護を与えるよう構成され、モニタ・デバイスへの電気的接続を可能にして、バリアの完全性の状態をユーザへ示すバリア構造のキャパシタンスおよび／または抵抗をテストするよう構成される。 - 特許庁

A capacitance element is composed of a lower electrode 111, a ferroelectric film 112 formed on the lower electrode 111, and an upper electrode 113 formed on the ferroelectric film 112; and is formed on the oxygen barrier film 109.例文帳に追加

下部電極１１１と、下部電極１１１上に形成された強誘電体膜１１２と、強誘電体膜１１２上に形成された上部電極１１３とからなる容量素子が酸素バリア膜１０９上に形成されている。 - 特許庁

This semiconductor device including a capacitive element includes: metal wiring 200a and a lower electrode 200b each including an aluminum alloy film 102 and an upper-layer barrier film 103 including a high-melting-point metal film; a capacitance insulating film 104 formed on the lower electrode 200b; and an upper electrode 105 formed on the capacitance insulating film 104.例文帳に追加

本発明は、容量素子を有する半導体装置であって、アルミニウム合金膜１０２と、高融点金属膜を含む上層バリア膜１０３とを含む金属配線２００ａおよび下部電極２００ｂと、下部電極２００ｂ上に形成された容量絶縁膜１０４と、容量絶縁膜１０４上に形成された上部電極１０５とを有する。 - 特許庁

To prevent oxygen transmitted through lower electrodes from oxidating a barrier layer to result in a high resistance and low dielectric constant oxide layer in heat treating a dielectric film formed on the lower electrodes of capacitance elements of a DRAM in an oxygen atmosphere.例文帳に追加

ＤＲＡＭの容量素子の下部電極上に形成した誘電体膜を酸素雰囲気中で熱処理する際、下部電極を透過した酸素がバリア層を酸化して、高抵抗、低誘電率の酸化物層を形成する不具合を防止する。 - 特許庁

To provide a switching circuit employing a wideband gap Schottky barrier diode which can reduce turn on loss of a switching element while controlling ringing caused by junction capacitance of a diode and stray inductance even if a feedback diode consisting of a wideband gap semiconductor is used.例文帳に追加

帰還ダイオードにワイドバンドギャップ半導体によるものを使用しても、該ダイオードの接合容量と浮遊インダクタンスによるリンギングを抑制しつつ、スイッチング素子のターンオン損失も低減できるワイドバンドギャップショットキバリアダイオードを用いたスイッチング回路を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for enhancing the reliability of a semiconductor device to attain high performance by employing a laminate structure having adequate barrier performance with respect to copper, reducing the delay time of a wiring, by reducing electric capacitance between wirings and having improved bondability among the wirings.例文帳に追加

銅に対する十分なバリア性を備え、配線間の電気容量を低下させて配線の遅延時間を小さく抑え、かつ配線間の密着性を向上させた積層構造により、半導体装置の信頼性を高め、高性能化を実現する技術を提供する。 - 特許庁

The oscillator has a variable capacitance diode 11, a distal end open stub (capacitive stub) 15 indicating capacitive characteristics near a tuning frequency, and a reference voltage applying circuit becoming an open state near an oscillation frequency and for providing barrier potential of the variable capacitive element.例文帳に追加

可変容量ダイオード１１と、同調周波数近傍で容量性の特性を示す先端開放スタブ（容量性スタブ）１５と、共振周波数近傍で開放となり、かつ、前記可変容量素子の障壁電位を与えるための基準電圧印加回路とを備える。 - 特許庁

At least a part of a capacitive element 112 comprising a capacitive lower electrode 109, a capacitance insulating film 110 and a capacitive upper electrode 111 is coated with a second hydrogen barrier film 113 formed of at least one of bismuth tantalate, bismuth niobate and bismuth tantalum niobate.例文帳に追加

容量下部電極１０９、容量絶縁膜１１０及び容量上部電極１１１からなる容量素子１１２の少なくとも一部分を、タンタル酸ビスマス、ニオブ酸ビスマス及びタンタルニオブ酸ビスマスの少なくとも１つからなる第２の水素バリア膜１１３によって被覆する。 - 特許庁

To achieve a three-dimensional image flat panel display device with an electrostatic capacitance type touch screen panel incorporated without adding an extra step by using a plurality of first electrode patterns arranged in a flat panel display device and a plurality of barrier patterns arranged on an outer surface of the flat panel display device as electrodes of the touch screen panel.例文帳に追加

平板表示装置に配列された複数の第１電極パターン及び平板表示装置の外面に配列される複数のバリアパターンを、それぞれ静電容量方式のタッチスクリーンパネルの電極として用いることにより、追加の工程なくタッチスクリーンパネルが内蔵された立体映像平板表示装置を実現する。 - 特許庁

To provide a highly reliable excimer lamp, capable of preventing surface discharge among electrodes and abnormal discharge among lead wires, even if a high voltage is impressed on the lamp in order to obtain a high radiation output, as to an excimer lamp of a dielectric barrier discharge system which does not have electrode in a discharge space or a capacitance coupling type high-frequency discharge system.例文帳に追加

放電空間内に電極を持たない誘電体バリア放電方式または容量結合型高周波放電方式のエキシマランプにおいて、高い放射出力を得るために、ランプに高電圧を印加しても電極間の沿面放電や、リード線間の異常放電を防止できる信頼性の高いエキシマランプを提供する。 - 特許庁

A capacitor element is formed by laminating a first electrode with at least the upper surface comprising a first metal nitride, a capacitance insulating film comprising a zirconium oxide film, a first barrier film comprising a zinc oxide film doped with one of boron, aluminum and gallium as an impurity, and a second electrode with at least the lower surface comprising a second metal nitride in this order.例文帳に追加

本発明のキャパシタ素子は、少なくとも上面が第一の窒化金属からなる第一電極と、酸化ジルコニウム膜からなる容量絶縁膜と、ボロン、アルミニウム、ガリウムのいずれかが不純物としてドープされた酸化亜鉛膜からなる第一のバリア膜と、少なくとも下面が第二の窒化金属からなる第二電極と、がこの順で積層されてなることを特徴とする。 - 特許庁

By configuring the metal deposition film capacitor in this way, when the capacitor is used in a lighting circuit, or the like, of a flash lamp, even in tens of thousands of charging and discharging cycles, a dielectric barrier electric discharge generated between the metal deposition films of the capacitor element formed by wounding a metal deposition film arranged inside the metal deposition film capacitor is suppressed, and thus the electrostatic capacitance can be prevented from attenuating.例文帳に追加

金属蒸着フィルムコンデンサーをこのように構成することによって、フラッシュランプの点灯回路等に使用した際、数万回といった充放電の繰り返しによっても、金属蒸着フィルムコンデンサー内部に配置された金属蒸着フィルムを巻回し形成したコンデンサー素子の金属蒸着フィルム間に生じる誘電体バリア放電を抑制し、静電容量の減衰を防止することができる。 - 特許庁