電子サイクロトロン波の英語

プラズマ中に放射する電磁波と磁場による電子エネルギ状態制御、及び容量結合放電、誘導結合放電、電子サイクロトロン共鳴放電の各放電状態制御により、電子エネルギ状態を制御し、活性種発生を制御する。例文帳に追加

The plasma processing device controls the state of electric energy generated by electromagnetic waves emitted into a plasma and magnetic fields, and the state of capacitive coupling discharge, of inductive coupling discharge, and of electronic cyclotron resonance discharge, thereby controls the generation of active species. - 特許庁

真空容器内で所定間隔開けて互いに対向して設けられた一対の電極２２，２４を備え、真空容器１２にマイクロ波を放射し、真空容器１２を共振器としてその内で電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ処理装置１０を設ける。例文帳に追加

In this plasma etching method, a plasma processing apparatus 10 which is equipped with a pair of electrodes 22, 24 positioned in a vacuum vessel so as to face each other at a prescribed interval, irradiates the vacuum vessel 12 with a microwave, and generates plasma in the vacuum vessel 12 through electron cyclotron resonance by using the vacuum vessel 12 as a resonator is installed. - 特許庁

原料ガスはプラズマ化して供給することが望ましく、プラズマの励起法としては電子ビーム励起プラズマ法、高周波平行平板プラズマ法、ラダー状の放電電極を用いた高周波プラズマ法、電子サイクロトロン共鳴プラズマ法、誘導結合型プラズマ法あるいはヘリコン波プラズマ法等の高密度プラズマを用いることを特徴とする。例文帳に追加

The material gas is preferably supplied in the form of high density plasma excited by electron beam excited plasma method, high frequency parallel plate plasma method, high frequency plasma method employing rudder-like discharge electrodes, electron cyclotron resonance plasma method, induction coupling plasma method, or helicon wave plasma method. - 特許庁

プラズマ発生室２１の一部に永久磁石２７を埋設し、プラズマ発生室２１内に発生する永久磁石２７の磁界とプラズマ発生室２１に放射されるマイクロ波電力Ｐｏとにより局部的な電子サイクロトロン共鳴のゾ−ン２８を生成し、マイクロ波電力の供給初期において、そのゾ−ン２８を種プラズマとして表面波プラズマ２９を点火させる構成としてある。例文帳に追加

A permanent magnet 27 is embedded in a part of the plasma generating chamber 21, a zone 28 for partial electronic cyclotron resonance is formed by the magnetic field of the permanent magnet 27 produced in the plasma generating chamber 21 and microwave power Po radiated into the plasma generating chamber 21, and surface wave plasma 29 is ignited with the zone 28 as seed plasma at the initial stage of supplying the microwave power. - 特許庁

ガス媒質を導入する導管、ガス媒質を励振するための高周波を注入する導波管、イオンの抽出部を有する真空容器、及び真空容器に磁場を印加するための永久磁石からなる電子サイクロトロンイオン源において、所要のイオンを得るのに必要な磁束密度分布を容易に得られるようにすること。例文帳に追加

To easily acquire a necessary magnetic flux density distribution required for obtaining necessary ions, in an electron cyclotron ion source which is constituted of a conduction tube to introduce a gas medium, a waveguide for injecting high frequency waves to excite the gas medium, a vacuum vessel with an ion extraction unit, and permanent magnets for impressing a magnetic field to the vacuum vessel. - 特許庁

真空処理室１内にプラズマを生成して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、真空処理室１内に形成される磁場のＥＣＲ面に右回転する誘導電場を形成する高周波誘導アンテナを複数組（７、７’）設け、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象によりプラズマを生成する。例文帳に追加

The plasma processing device for performing plasma processing of a test piece by generating plasma inside a vacuum processing chamber 1 is provided with a plurality of groups (7, 7') of high frequency induction antennas for forming an induction electric field which rotates clockwise on an ECR face of a magnetic field formed in the vacuum processing chamber 1, and plasma is generated by an electron cyclotron resonance (ECR) phenomenon. - 特許庁

具体例として、シリコン基板上に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を利用したプラズマスパッタ法により、チタン酸ストロンチウム ＳrＴi Ｏ_3 を数百ｎｍ成膜した後、大気中で２８ＧＨｚのマイクロ波を照射してポストアニーリングしたところ、緻密で数１０ｎｍの微細な結晶を発現できた。例文帳に追加

As a concrete example, by a plasma sputtering method using an electron cyclotron resonance(ECR), a strontium titanate(SrTiO_3) film of about several hundreds of nm thickness is formed on a silicon substrate, the film is irradiated with microwaves at 28 GHz in air, so as to be post-annealed, and a dense and fine crystal in several tens of nm is revealed. - 特許庁