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電荷トラッピングの英語
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英訳・英語 charge trapping
「電荷トラッピング」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 24件
一列の電荷トラッピングメモリセルを作動させるための方法および装置例文帳に追加
METHOD AND DEVICE FOR OPERATING SINGLE LINE CHARGE-TRAPPING MEMORY CELL - 特許庁
電荷トラッピング不揮発性メモリにおける検出の方法および装置例文帳に追加
DETECTING METHOD AND DEVICE IN CHARGE-TRAPPING NONVOLATILE MEMORY - 特許庁
実質的に高いカップリングレシオをもつ円筒型チャンネル電荷トラッピング装置例文帳に追加
CYLINDRICAL CHANNEL CHARGE TRAPPING DEVICES WITH SUBSTANTIALLY HIGH COUPLING RATIOS - 特許庁
電荷トラッピング不揮発性メモリおよびそのゲートバイゲート消去のための方法例文帳に追加
CHARGE TRAPPING NONVOLATILE MEMORY AND ITS GATE BY GATE ERASING METHOD - 特許庁
プラズマ酸化ｈｉｇｈ−ｋ電荷トラッピング層を用いて不揮発性メモリを製造する方法例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY USING PLASMA OXIDIZED HIGH-K CHARGE TRAPPING LAYER - 特許庁
前記電荷トラッピング構造の他の部分が、関係のないデータを保存するとき、前記読出し動作は、前記電荷トラッピング構造の異なる部分の間の結合を低下させる。例文帳に追加
When the other sections of the charge-trapping structure store unrelated data, the read operation reduces the coupling between the other sections different in the charge-trapping structure. - 特許庁
前記半導体本体の電荷蓄積構造は、前記複数のゲート中のゲートの下方に電荷トラッピング位置を具備する。例文帳に追加
Charge storage structure of a semiconductor body is provided with a charge trapping position below a gate among a plurality of gates. - 特許庁
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「電荷トラッピング」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 24件
この発明は、プログラミング／消去の状態を決定する方法および、電荷トラッピング半導体デバイスを動作させる方法に関する。例文帳に追加
The present invention relates to a method for determining a state of programming/deleting and a method for operating a charge-trapping semiconductor device. - 特許庁
本発明は、３層膜スタックの場所に電荷トラッピングｈｉｇｈ−ｋ誘電体（２２）を用いる不揮発性メモリセル構造を開示する。例文帳に追加
There is disclosed a non-volatile memory cell structure utilizing a charge trapping high-k dielectric (22) in the place of a triple film stack. - 特許庁
実質的に高いカップリングレシオをもつ円筒型誘電電荷トラッピング構造を有する不揮発性メモリ装置を提供する。例文帳に追加
To provide a nonvolatile memory device which has a cylindrical dielectric charge trapping structure which has a substantially high coupling ratio. - 特許庁
電荷トラッピング構造を有する一列のメモリセルが、ワード線によって選択されたメモリセルの一部分を選択することによって読み出される。例文帳に追加
To read a single line of memory cells having a charge-trapping structure by selecting part of the memory cells selected by a word line. - 特許庁
不揮発性電荷トラッピングメモリデバイスの動作方法およびプログラミング／消去の状態の決定方法例文帳に追加
METHOD FOR OPERATING NONVOLATILE CHARGE TRAPPING MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR DETERMINING STATE OF PROGRAMMING/DELETING - 特許庁
ワードライン構造物１２４は、導電膜１０８をパターニングすることによって形成され、ブロッキング膜パターン１２６及び電荷トラッピング膜パターン１２８は、酸性溶液をエッチング液に用いてブロッキング膜１０６及び電荷トラッピング膜１０４をエッチングすることによって形成される。例文帳に追加
A word line structure 124 is formed by patterning the electrically conductive film 108, and a blocking film pattern 126 and a charge trapping film pattern 128 are formed by etching the blocking film 106 and the charge trapping film 104 respectively using an acidic solution as an etchant. - 特許庁
電荷トラッピング構造を有するメモリセルが、前記メモリセルの基板領域と、前記メモリセルのソース領域または前記メモリセルのドレーン領域のどちらか一方との間の電流を測定することによって、読み出される。例文帳に追加
To read a memory cell having a charge-trapping structure by measuring the current between the substrate area of the memory all and one of the source area and the drain area of the memory cell. - 特許庁
チャンネル領域を有する基板１００上にトンネル絶縁膜１０２、電荷トラッピング膜１０４、ブロッキング膜１０６、及び導電膜１０８が順次形成される。例文帳に追加
A tunnel insulating film 102, a charge trapping film 104, a blocking film 106 and an electrically conductive film 108 are formed in sequence on a substrate 100 having a channel region. - 特許庁
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