顕微鏡断面測定法の英語

各断面が暴露される際、フィーチャの該当寸法を測定するために、走査電子顕微鏡が使用される。例文帳に追加

When the cross section is exposed, a scanning electron microscope is used for measuring dimensions of the feature. - 特許庁

電子顕微鏡および光学顕微鏡でのシート状試料の断面観察や膜厚を測定する際の凍結切片法により断面出しを行う場合において、試料を垂直にセットする際の作業性を向上させることにより、膜厚測定の誤差を小さくすると共に、作業毎のバラツキ幅を抑えること。例文帳に追加

To reduce the measuring error of film thickness and to suppress width irregularity at every work, in setting a cross section by a frozen section method when the cross section of a sheet-like sample is observed or the thickness thereof is measured by an electron microscope or an optical microscope, by enhancing the workability at time of the vertical setting of the sample. - 特許庁

半導体試料を薄く切り出さずに、該半導体試料の断面におけるキャリア分布を走査型プローブ顕微鏡により直接測定することが可能な半導体装置の検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide the inspecting method of semiconductor device which can measure in direct carrier distribution at the cross-section of a semiconductor testing sample using a scanning probe microscope without cutting out a thin semicoductor test sample. - 特許庁

Ｓｎを主成分とするはんだの接合部の疲労評価方法において、はんだ接合部の切断面を電子顕微鏡により拡大して、Ｓｎ相２０やＡｇ_３Ｓｎ相２２の相寸法ｄを測定し、この測定値ｄを４乗して相成長評価パラメータＳとする。例文帳に追加

The method for evaluating the fatigue of a solder junction containing Sn as a main component includes the steps of enlarging a cut section of the junction by an electron microscope, measuring a phase size (d) of an Sn phase 20 and an Ag_3Sn phase 22, and biquadrating the measured value (d) to a phase growth evaluating parameter S. - 特許庁

本発明の炭素繊維材料の単繊維断面を電界放出型電子顕微鏡を用いて、電子エネルギー損失分光法で測定して得られるπ＊／σ＊の最表面測定値Ａ１と単繊維内部最高値Ａ２との比Ａ１／Ａ２が０．８３〜０．９４である。例文帳に追加

The carbon fiber material has 0.83-0.94 ratio A1/A2 of the measured value A1 of π*/σ* on the outermost surface and the maximum value A2 in a single fiber obtained by measurement of the cross section of the single fiber according to an electron energy loss spectroscopy using a field emission type electron microscope. - 特許庁

複数パターンの基準寸法は、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope：ＡＦＭ）によって、上記複数のパターンを測定することによって得るようにしても良いし、半導体パターンの設計データにシミュレーションを施すことによって得られるパターンの断面形状等に基づいて求めるようにしても良い。例文帳に追加

The reference dimensions of the plurality of patterns may be obtained by measuring the plurality of patterns by an Atomic Force Microscope: AFM, or alternatively, may be obtained on the basis of sectional shapes or the like of the patterns obtained by applying simulation to semiconductor pattern design data. - 特許庁