2波長レーザの英語

光源装置は、外気の侵入を防止する筺体５０の内部に、レーザ光を出射するレーザ出力部２と、レーザ出力部２から出射されたレーザ光を紫外光に波長変換する波長変換部３とを備える。例文帳に追加

The light source device includes a laser output part 2 for emitting a laser beam and a wavelength conversion part 3 for wavelength-converting the laser beam emitted from the laser output part 2 into an ultraviolet ray inside a casing 50 which prevents the intrusion of outside air. - 特許庁

レーザ光２は、ポンプ光として入力するレーザ１より約１００ｎｍ短い波長のレーザ光を入力するものである。例文帳に追加

The laser light 2 is to input a laser light of a wavelength 100 nm shorter than the laser light 1 inputting the pumping light. - 特許庁

半導体レーザ素子のレーザ光出射方向の長さＬは、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の所望の波長がλであり、レーザ光の波長の許容幅が△λであり、半導体レーザ素子の屈折率がｎである場合に、Ｌ＝（λ＾２）／（２×ｎ×△λ）によって決定される。例文帳に追加

The length L of the semiconductor laser element in the laser beam emitting direction is determined by L=(λ^2)/(2×n×▵λ) when the predetermined wavelength of the laser beam emitted from the semiconductor laser element is λ, the allowable width of the wavelength of the laser beam is ▵λ, and the refraction index of the semiconductor laser element is n. - 特許庁

ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、７８０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する第１レーザ構造部３と、６５０ｎｍ波長帯のレーザ光を出射する第２レーザ構造部４とが形成されている。例文帳に追加

A first laser structure section 3 emitting a laser beam of a 780 nm wavelength band and a second laser structure section 4 emitting a laser beam of a 650 nm wavelength band are formed on an n-type GaAs substrate 2. - 特許庁

多波長レーザ１の出力光信号は、波長分離型フィルタ２により単一の波長成分をもつ複数の光信号に分離される。例文帳に追加

An output optical signal of a multi-wavelength laser 1 is divided into a plurality of optical signals, having a single wavelength component by a wavelength separation filter 2. - 特許庁

波長308nm、351nmのレーザー光を発するエキシマレーザー または 波長355nmのレーザー光を発するダイオードレーザー１から出射されたレーザー種光２をその強度分布を均一にする光モジュール３に入射させ、長尺形状にプロファイル変形したレーザー光４を生成する。例文帳に追加

Laser seed light 2 emitted by an excimer laser emitting laser light of 308 and 351 nm in wavelength or a diode laser 1 emitting laser light of 355 nm in wavelength is made incident on an optical module 3 which makes its intensity distribution uniform to generate laser light 4 deformed into a long-sized profile. - 特許庁

この半導体レーザ装置は、主たる波長領域（約７８５ｎｍ）のレーザ光を生成する半導体レーザ素子チップ２と、半導体レーザ素子チップ２において主たる波長領域とは異なる他の波長領域のレーザ光が生成された場合に、他の波長領域のレーザ光の外部への出射を制御する透過率制御層１１とを備えている。例文帳に追加

The semiconductor laser device is provided with a semiconductor laser element chip 2 which generates a laser beam in a main wavelength region (about 785 nm), and a transmittance control layer 11 for controlling the emission of laser beams in other wavelength regions to the outside when the laser beams in other wavelength regions different from the main wavelength region are generated in the semiconductor laser element chip 2. - 特許庁

レーザ発振装置は、半導体レーザ４から出射されたレーザ光の一部をコート面１０において反射することによってレーザ光を半導体レーザ４に戻すことにより固体レーザ発振器２に入射するレーザ光の波長を固定する。例文帳に追加

In this laser oscillation device, a part of laser light emitted from a semiconductor laser 4 is reflected on a coat face 10, and returned to the semiconductor laser 4, thus fixing the wavelength of laser light entering a solid laser oscillator 2. - 特許庁