3 esd.とは 意味・読み方・使い方

The semiconductor device has a first ESD protecting circuit 1A including a first transistor 3 and a first ballast resistor 4, and a second ESD protecting circuit 1B including a second transistor 5 and a second ballast resistance 6.例文帳に追加

半導体装置は、第１トランジスタ３及び第１バラスト抵抗４を含む第１ＥＳＤ保護回路１Ａと、第２トランジスタ５及び第２バラスト抵抗６を含む第２ＥＳＤ保護回路１Ｂとを備えている。 - 特許庁

The first ESD layer 110 is n-GaN, where the Si concentration is 1×10^16 to 5×10^17/cm^3, the thickness is 200-1,000 nm, and the pit density is ≤1×10^8/cm^2.例文帳に追加

第１ＥＳＤ層１１０は、Ｓｉ濃度１×１０^16〜５×１０^17／ｃｍ^3 、厚さ２００〜１０００ｎｍピット密度１×１０^8 ／ｃｍ^2 以下のｎ−ＧａＮである。 - 特許庁

The cleaning of the work 6 by the blast part 7 and the vibration brush part 8 is carried out in a cleaning liquid stored in a cleaning tank 3 and prevents ESD destruction, etc.例文帳に追加

ブラスト部７および振動ブラシ部８によるワーク６の洗浄は、洗浄槽３内に貯留された洗浄液中で行い、ＥＳＤ破壊などを防止する。 - 特許庁

As shown in chart (b) in Fig.3, meanwhile, a VCSEL that has suffered ESD damage exhibits, when it has a damaged active layer, an emission spectrum showing a smaller number of peaks than the initial number of peaks.例文帳に追加

一方、図３（ｂ）に示すように、ＥＳＤダメージを受けたＶＣＳＥＬは、活性層にダメージがある場合、当初のピーク数よりも少ないピークを示す発光スペクトラムが得られる。 - 特許庁

One-chip amplification IC element is achieved by connecting a resistor or an inductor for ESD protection, and a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) whose 2 terminals out of 3 terminals are diode-connected, to an amplification element.例文帳に追加

増幅素子にＥＳＤ保護用の抵抗またはインダクタと、３端子のうち２端子をダイオード接続したＭＯＳＦＥＴを接続し、１チップ化した増幅集積回路素子を実現する。 - 特許庁

When (+) ESD is applied on the terminal PVo, the current source 3, capacitor C1, and 2-input NAND circuit 4 turn on the output transistor MDT1 by changing the signal level of a node N3 on the output side of the 2-input NAND circuit 4 to "High" and release the ESD electric charges to the side of a low-potential-side power source Vss.例文帳に追加

電流源３、コンデンサＣ１、及び２入力ＮＡＮＤ回路４は、端子ＰＶｏに（＋）ＥＳＤが印加されたとき、２入力ＮＡＮＤ回路４の出力側のノードＮ３の信号レベルを“Ｈｉｇｈ”レベルにして、出力トランジスタＭＤＴ１をオンさせてＥＳＤの電荷を低電位側電源Ｖｓｓ側に逃がす。 - 特許庁

When either one of ESD protective diodes 24 and 25 is broken by electrostatic noise, etc., a diode switching circuit 3 interrupts the leakage current flowing through the broken diode by automatically disconnecting either one of transistors 13 and 17 and uses the parasitic diode of the cut-off diode as an ESD protective diode.例文帳に追加

ＥＳＤ保護用のダイオード２４，２５のいずれかが静電ノイズなどによって破壊されてもダイオード切り替え回路３がトランジスタ１３，１７のいずれかを自動的にカットＯＦＦし、破壊されたダイオードを介して流れるリーク電流を遮断し、かつカットＯＦＦしたトランジスタの寄生ダイオードをＥＳＤ保護用のダイオードとして用いる。 - 特許庁

The circuit simulation part 26 finds electrical potential in plurality of electric current routes between pads 11 and 21, when an ESD current or an ESD voltage is applied between the pads 11 and 21 of different power source systems of design data of a semiconductor integrated circuit having circuits 2 and 3 of different power source systems.例文帳に追加

回路シミュレーション部２６は、複数の電源系の回路２、３を有する半導体集積回路の設計データの、異なる二つの電源系のパッド１１、２１間にＥＳＤ電流またはＥＳＤ電圧が印加されたときの、パッド１１、２１間における複数の電流経路内での電位を求める。 - 特許庁