6ウェルの英語

半導体装置は、トレンチ２が形成されたシリコン基板（Ｎウェル８、Ｐウェル９）と、トレンチ２の側面からシリコン基板表面にかけて、ウェルと同じ導電型で、当該ウェルより高濃度で形成された不純物領域（Ｎ型ウェルコンタクト拡散層領域４、Ｐ型ウェルコンタクト拡散層領域６）と、を備える。例文帳に追加

The semiconductor device has silicon substrates (N-type well 8 and P-type well 9), on which a trench 2 is formed and impurity regions (N-type well contact diffusion layer region 4 and P-type well contact diffusion layer region 6) that are conductive, similar to the well and is formed so as to be more heavily concentrated across the area, from the side surface of the trench 2 to the silicon substrate surface. - 特許庁

ペデスタル６、ダイアフラムフロア７及び隔離壁２１はドライウェルと圧力抑制室１０を隔離し、隔離壁２１はドライウェルとウェットウェル１２とを隔離する。例文帳に追加

The pedestal 6, the diaphragm floor 7, and the isolation wall 21, isolate a dry well from a pressure suppression chamber 10 while the isolation wall 21 isolates the dry well from a wet well 12. - 特許庁

Ｐ型ウェル２内にはＰ型領域４，Ｎ型領域５ａが、Ｎ型ウェル３内にはＰ型領域７ａ，Ｎ型領域８がそれぞれ形成され、両ウェル２及び３にまたがってＮ型領域６が形成されている。例文帳に追加

A P-type region 4 and an N-type region 5a are formed in a P-type well 2, a P-type region 7a and an N-type region 8 are formed in an N-type well 3, and an N-type region 6 is formed straddling both the wells 2 and 3. - 特許庁

さらに、ドライウェル冷却装置１２には該ドライウェル冷却装置１２内にドライウェル空間５，６の流体を導く送風機１６と、ドライウェル冷却装置１２内の不凝縮性流体を排気する排気ファン２３を設けたことを特徴としている。例文帳に追加

The dry well cooling device 12 is characterized by providing an air blower 16 for guiding the fluid in the dry well spaces 5, 6 into the dry well cooling device 12 and an exhaust fan 3 for exhausting non- condensing fluid in the dry well cooling device 12. - 特許庁

この酸化により、Ｐウェル５とＮ型領域６で形成されるｐｎ接合深さが浅くなる。例文帳に追加

By this oxidation, the depth of pn junction made between the P well 6 and the N-type region 6 becomes shallow. - 特許庁

一又は二以上のウェルを備えた検体トレーであって、それぞれのウェルが、水平断面の形状がほぼ四角形である大ウェル２を有し、この大ウェル２の内部に、柱状に形成され、底部に開口部６を有し、内部が空洞で、上端に平坦部４を有するとともに、この平坦部４が透明に形成された小ウェル３を有する検体トレーとする。例文帳に追加

In this specimen tray equipped with one or two or more wells, each well has a large well 2 with a horizontal section having an approximately quadrangular shape inside the large well 2, and a small well 3 formed to have a columnar shape, having an aperture 6 on the bottom part, a hollow inside, and a flat part 4 formed transparently on the upper end. - 特許庁

Ｐウェル４に形成されたトレンチ６内には、ポリシリコンゲート電極Ｇが形成されている。例文帳に追加

Polysilicon gate electrodes G are formed in trenches 6 formed in P wells 4. - 特許庁

ポリエチレンシート５の周囲を、超音波ウェルダー６でポリエチレン被膜３に溶着する。例文帳に追加

The periphery of the polyethylene sheet 5 is welded to a polyethylene coat 3 by an ultrasonic welder 6. - 特許庁