Atom feedとは 意味・読み方・使い方

A portable terminal device 103 includes a communication unit 201 for receiving ATOM feed and CSS, a display unit 204 for performing screen display based on the ATOM feed and the CSS received by the communication unit 201, and a position information acquisition unit 202 for acquiring current position information of the portable terminal device 103.例文帳に追加

携帯端末装置１０３が、ＡＴＯＭフィードおよびＣＳＳを受信する通信部２０１と、通信部２０１の受信するＡＴＯＭフィードとＣＳＳとに基づいて画面表示を行う表示部２０４と、携帯端末装置１０３の現在位置情報を取得する位置情報取得部２０２と、を具備する。 - 特許庁

In this method for forming a silicon-based thin film by using the high-frequency plasma CVD method, a feed gas should contain silicon fluoride, hydrogen, and an oxygen atom that is equal to or more than 0.1 ppm and equal to or less than 0.5 ppm to a silicon atom.例文帳に追加

高周波プラズマＣＶＤ法を用いてシリコン系薄膜を形成する方法において、原料ガスにフッ化ケイ素及び水素を含み、前記原料ガス中にシリコン原子に対して０．１ｐｐｍ以上０．５ｐｐｍ以下の酸素原子を含有させることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for using activated nitrogen atom, capable of solving problems in the case using conventional ammonia as nitrogen feed source in MOCVD method (organometallic compound chemical vapor deposition method) for growing a III group metal nitride thin film on a substrate.例文帳に追加

基板上にIII族金属窒化物薄膜を成長させるＭＯＣＶＤ法において、従来のアンモニアを窒素供給源として使用する場合の課題を解決し得る、活性化窒素原子を使用する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a semiconductor single crystal, which can easily control the hydrogen atom concentration in a hydrogen mixed gas corresponding to the change of pulling environment of the semiconductor single crystal and can continuously and stably feed the hydrogen mixed gas for a long period of time by using low-cost apparatus.例文帳に追加

半導体単結晶の引上環境の変化に対応して水素混合ガス中の水素原子濃度を容易に制御可能であり、かつ、水素混合ガスをローコストな設備で長期間に渡って連続的に安定して供給可能な半導体単結晶製造装置を提供する。 - 特許庁

The hard film 1 having a first layer 3 containing metal nitride, metal oxide or metal carbide, and a second layer 4 which is coated on the first layer 3 and has composition consisting of, by atom, 60-95% carbon and 5-40% silicon is manufactured by using a sputtering apparatus having reactive gas feed equipment by devising a method for introducing reactive gas.例文帳に追加

金属の窒化物又は金属の酸化物又は金属の炭化物を含む第１の層３と、この第１の層３の上部に被覆され組成割合６０〜９５原子％の炭素と組成割合５〜４０原子％の珪素を含む第２の層４とを有する硬質皮膜１を、反応ガス供給設備を備えたスパッタリング装置を用いて、反応ガスの導入方法を工夫して製造するものである。 - 特許庁