CG siliconとは 意味・読み方・使い方

A sidewall 212 having a gentle shape is formed on a side of a silicon oxide film 206 formed on a control gate electrode CG.例文帳に追加

制御ゲート電極ＣＧ上に形成されたシリコン酸化膜２０６の側壁部分に、なだらかな形状のサイドウォール２１２を形成する。 - 特許庁

Among the insulator films 5, a portion between a side face of the control gate electrode CG and a side face of the memory gate electrode MG comprises a silicon oxide film 6a, and does not have the silicon nitride film 10a.例文帳に追加

絶縁膜５のうち、制御ゲート電極ＣＧの側面とメモリゲート電極ＭＧの側面との間の部分は、酸化シリコン膜６ａからなり、窒化シリコン膜１０ａを有していない。 - 特許庁

A multilayer film S is constituted of a layer structure of a silicon oxide film 7, a silicon nitride film 8, and a metal oxide film 9, and the multilayer film S is formed by being interposed between a control gate electrode CG and a silicon nitride film 6.例文帳に追加

積層膜Ｓが、シリコン酸化膜７、シリコン窒化膜８、金属酸化物膜９の積層構造によって構成されており、当該積層膜Ｓが制御ゲート電極ＣＧとシリコン窒化膜６との間に介在して形成されている。 - 特許庁

The liquid crystal panel 4 may be a CG silicon liquid crystal panel and a liquid crystal driving circuit may be formed in one body.例文帳に追加

液晶パネル４は、ＣＧシリコン液晶パネルとすることができ、また液晶駆動回路が一体で形成されているものとすることができる。 - 特許庁

The control gate electrode CG is formed on an insulating film 3 as a gate insulating film; and the memory gate electrode MG is formed on an insulating film 6 composed of a silicon oxide film 6a, a silicon nitride film 6b and a silicon oxide film 6a.例文帳に追加

制御ゲート電極ＣＧは、ゲート絶縁膜としての絶縁膜３上に形成され、メモリゲート電極ＭＧは、酸化シリコン膜６ａ、窒化シリコン膜６ｂおよび酸化シリコン膜６ａの積層膜からなる絶縁膜６上に形成されている。 - 特許庁

In a silicon semiconductor substrate 10, a memory gate MG on a gate oxide film 11 and a control gate CG provided on the side part thereof are composed of a polysilicon layer.例文帳に追加

シリコン半導体基板１０において、ゲート酸化膜１１上のメモリゲートＭＧ、その側部に設けられたコントロールゲートＣＧはいずれもポリシリコン層で構成されている。 - 特許庁

The concentration of catalyst metal in the CG silicon film 14 is 1×10^13 atoms/cm^3 or more and 1×10^15 atoms/cm^3 or less, and the concentration of catalyst metal in the p-Si film 15 for a display part is made lower than the concentration of catalyst metal in the CG silicon film 14b for a peripheral driving circuit.例文帳に追加

上記ＣＧシリコン膜１４中の触媒金属の濃度が１×１０^13ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上かつ１×１０^15ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3未満の範囲内であり、表示部用ｐ−Ｓi膜１５中の触媒金属の濃度を周辺駆動回路用ＣＧシリコン膜１４ｂ中の触媒金属の濃度よりも低くする。 - 特許庁

The laminated film is patterned to form a laminate LB including a floating gate FG comprising the first silicon layer S1p, a gate insulating film GI comprising the insulating layer IL and a control gate CG comprising the second silicon layer S2a.例文帳に追加

この積層膜がパターニングされて、第１シリコン層Ｓ１ｐを有するフローティングゲートＦＧと、絶縁層ＩＬを有するゲート間絶縁膜ＧＩと、第２シリコン層Ｓ２ａを有するコントロールゲートＣＧとを含む積層体ＬＢが形成される。 - 特許庁