EXTRAPURE WATERとは 意味・読み方・使い方

To make the extrapure water having extremely low TOC concentration and high purity by efficiently removing organic substances, especially low- molecular organic components, in raw water.例文帳に追加

原水中の有機物、特に低分子系有機物成分を効率的に除去して、ＴＯＣ濃度がきわめて低く、高純度な超純水を製造する。 - 特許庁

To provide an extrapure water manufacturing apparatus capable of preventing troubles resulting from a radical oxygen generated by ultraviolet rays irradiation.例文帳に追加

紫外線照射により発生するラジカル酸素に起因する不都合を防止した、超純水製造装置の提供が望まれている。 - 特許庁

To efficiently perform washing and sterilizing for removing fine particles in an extrapure water manufacturing system in a short time.例文帳に追加

超純水製造システムの微粒子除去のための洗浄及び殺菌を短時間で効率的に行う。 - 特許庁

The extrapure water manufacturing apparatus 1 is provided with an ultraviolet rays irradiation device 2, a liquid passing type electric double-layer capacitor 3, an ion exchange resin unit 4 and/or a reverse osmotic membrane unit.例文帳に追加

紫外線照射装置２、通液型電気二重層コンデンサ３、イオン交換樹脂装置４及び／又は逆浸透膜装置を備えた超純水製造装置１である。 - 特許庁

A semiconductor substrate having a metal film on the surface thereof is stored in a closed vessel, being immersed in extrapure water having a dissolved oxygen concentration of 300ppb or below.例文帳に追加

基板表面に金属薄膜が形成された半導体基板を密封容器内で溶存酸素濃度が３００ｐｐｂ以下の超純水に浸漬して保管する。 - 特許庁

This method is a method in which a film is extracted with an extrapure water, and then the extracted liquid is measured using an ion chromatography, an in-liquid particle counter, a combined induction plasma-mass spectrometer, and an atomic absorption photometer.例文帳に追加

フィルムを超純水で抽出し、その抽出液をイオンクロマトグラフ、液中パーティクルカウンター、結合誘導プラズマ−質量分析計、原子吸光分光光度計により測定する方法である。 - 特許庁

To provide an analytical method capable of quickly and precisely analyzing a trace metallic impurity in a sample such as an aqueous solution dissolving an easily thermally decomposable compound, easily volatile compound, extrapure water or the like.例文帳に追加

易熱分解性化合物、易揮発性化合物を溶解した水溶液、超純水等の試料中微量金属不純物を迅速に且つ精度良く分析することが可能な分析方法を提供する。 - 特許庁

After the silicon substrate is rinsed with an extrapure water for 5 minutes, the silicon substrate 1 is immersed in a perchloric acid water solution of 72.4 vol% concentration heated at 203°C for 37 minutes, to form a silicon oxide film 5 on the surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１を超純水で５分間リンス（洗浄）した後、このシリコン基板１を、２０３℃に加熱した濃度７２．４vol.％の過塩素酸水溶液８に３７分間浸漬し、シリコン基板１の表面にシリコン酸化膜５を形成する。 - 特許庁