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G‐lineの英語
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「G‐line」を含む例文一覧
該当件数 : 32件
The gray tone mask is exposed by an exposure device having a light source including a g-line, an h-line and an i-line, and the semi-translucent film is set so that a change of transmittance is 1.5% or less in an exposure wavelength region from the i-line to the g-line.例文帳に追加
該グレートーンマスクはｇ線、ｈ線、ｉ線を含む光源を持つ露光装置によって露光されるもので、半透光膜はｉ線からｇ線までの露光波長領域において透過率変化が1.5％以下である。 - 特許庁
To provide a means for determining the optimum thickness of a photoresist when using the photoresist having photosensitivity with respect to wavelengths of both a g line and an i line.例文帳に追加
ｇ線とｉ線の両波長に感光性をもつフォトレジストを使用するにあたり、最適なフォトレジスト膜厚を決定する手段の提供。 - 特許庁
Further, the optimum designed value D of the height of the groove of the diffraction optical element is decided so as to satisfy the achromatic condition with the d-line and g-line.例文帳に追加
更に、回折光学素子の溝の高さの最適設計値Ｄを、ｄ線とｇ線とで色消し条件を満足するように決定するようにする。 - 特許庁
Light from the document is separated into spectral components by the diffraction grating 421, and they are simultaneously made incident on the R line 51, the G line 52, and the B line 53.例文帳に追加
また、原稿２からの光は回折格子４２１により分光され、同時にＲライン５１、Ｇライン５２およびＢライン５３へ入射する。 - 特許庁
10<νIT<27 and 0.3<θIT<0.7, where νIT is the Abbe's number of the mixture, and θIT the partial dispersion ratio for the g line and f line of the mixture.例文帳に追加
１０＜νＩＴ＜２７ ０．３＜θＩＴ＜０．７ここで、νＩＴ：混合体のアッベ数 θＩＴ：混合体のｇ線とｆ線に関する部分分散比 - 特許庁
To provide a positive resist composition having sensitivity to a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam and usable in a mix and match step of exposure using at least two exposure light sources selected from a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加
ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線に対する感度を有し、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光するミックスアンドマッチ工程に使用できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
To provide a negative resist composition having sensitivity to a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam and usable in a mix and match process where exposure is performed using at least two kinds of exposure light sources selected from a g-line, an i-line, a KrF excimer laser and an electron beam, and to provide a resist pattern forming method.例文帳に追加
ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線に対する感度を有し、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光するミックスアンドマッチ工程に使用できるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁
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「G‐line」を含む例文一覧
該当件数 : 32件
A photoresist composition includes a sensitizer which works in combination with a DUV photoresist including a PAC, to sensitize the photoresist to G-line, H-line or I-line imaging.例文帳に追加
フォトレジスト組成物が、フォトレジストをＧ線、Ｈ線、又はＩ線撮像に増感させるようＰＡＣを含むＤＵＶフォトレジストと組み合わせて機能する増感剤を含む。 - 特許庁
POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR USE IN STEP OF EXPOSURE USING AT LEAST TWO EXPOSURE LIGHT SOURCES SELECTED FROM G-LINE, I-LINE, KrF EXCIMER LASER AND ELECTRON BEAM AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加
ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光する工程に用いられるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁
NEGATIVE RESIST COMPOSITION USED IN PROCESS WHERE EXPOSURE IS PERFORMED USING AT LEAST TWO KINDS OF EXPOSURE LIGHT SOURCES SELECTED FROM G-LINE, I-LINE, KrF EXCIMER LASER, AND ELECTRON BEAM, AND RESIST PATTERN FORMING METHOD例文帳に追加
ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも２種の露光光源を用いて露光する工程に用いられるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 - 特許庁
To provide an inexpensive pellicle film suited to a lithography process of applying ultraviolet light including i line, h line and g line and having a wavelength region of 350-450 nm, and having light resistance.例文帳に追加
ｉ線、ｈ線、ｇ線を含む、３５０〜４５０ｎｍの波長域の紫外線を照射するリソグラフィ工程に好適な、安価で耐光性に優れたペリクル膜を提供する。 - 特許庁
A condensed light is received by an R line 51, a G line 52, and B line 53, which are arranged in an imaging device part 50 and are imaging device arrays of colors corresponding to respective wavelength regions.例文帳に追加
集光された光は、撮像素子部５０に配設されている各波長領域に対応する色の撮像素子列であるＲライン５１、Ｇライン５２またはＢライン５３へそれぞれ受光される。 - 特許庁
The thickness of the photoresist is used such that maximum values or minimum values of a g line standing wave effect curve and an i line standing wave effect curve overlap each other.例文帳に追加
本発明は、ｇ線定在波効果曲線とｉ線定在波効果曲線の最大値、又は最小値が重なったときのフォトレジスト膜厚を採用する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a relief pattern using the precursor of polybenzoxazole for suppressing the deterioration of the heat-resistance and mechanical characteristics of final polybenzoxazole resin while achieving high solubility and i line and g line permeability.例文帳に追加
高い溶解度及びｉ線、ｇ線透過率を有しながら最終的なポリベンズオキサゾール樹脂の耐熱性及び機械特性を損わないポリベンズオキサゾールの前駆体を使用したレリーフパターンの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a positive photosensitive resin composition which has high sensitivity and high resolution to g-line and i-line, can be developed with a general-purpose generator, and satisfies excellent strong alkali resistance.例文帳に追加
ｇ線とｉ線に高感度かつ高解像度で、汎用現像液での現像が可能であり、さらに強アルカリ耐性に優れる性能を同時に満たすポジ型感光性樹脂組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁
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