Geteとは 意味・読み方・使い方

A sputtering apparatus 10 includes a GeTe target 22a and an Sb_2Te_3 target 22b having mutually different compositions.例文帳に追加

スパッタ装置１０は、互いに異なる組成を有したＧｅＴｅターゲット２２ａ及びＳｂ_２Ｔｅ_３ターゲット２２ｂを有する。 - 特許庁

To provide new processes for forming amorphous GST, GeTe, and other films in an amorphous manner, but with a relatively high deposition rate.例文帳に追加

ＧＳＴ、ＧｅＴｅ、及び他の膜を非晶質の形態で、ただし比較的高い蒸着速度で形成する新規な方法を提供すること。 - 特許庁

The TFT3 is driven with the voltage generated by shifting a gate line output Gete of a precedent stage by a level shifter L/S2 and the TFT4 is driven with the voltage generated by shifting the gate line output Gete being the same with the precedent stage by a level shifter L/S1.例文帳に追加

ＴＦＴ３を前段のゲートライン用出力ＧｅｔｅをレベルシフタＬ／Ｓ２でシフトした電圧により駆動し、ＴＦＴ４は前段のゲートラインと同じくゲートライン用出力ＧｅｔｅをレベルシフタＬ／Ｓ１でシフトした電圧により駆動する。 - 特許庁

Germanium, tellurium, and/or antimony precursors are usefully employed to form germanium, tellurium and/or antimony-containing films, such as films of GeTe, GST, and thermoelectric germanium-containing films.例文帳に追加

ゲルマニウム、テルル、及び／又はアンチモン前駆体は、ゲルマニウム、テルル、及び／又はアンチモン含有膜、例えば、ＧｅＴｅ、ＧＳＴ、及び熱電ゲルマニウム含有膜を形成するために、有用に使用される。 - 特許庁

The phase change substance pattern corresponds to the undoped GeBiTe film, the doped GeBiTe film including impurities, or the GeTe film including impurities.例文帳に追加

前記相変化物質パターンは、アンドープトＧｅＢｉＴｅ膜、不純物を含むドープトＧｅＢｉＴｅ膜または不純物を含むＧｅＴｅ膜に相当する。 - 特許庁

Further described is the use of [{nBuC(iPrN)_2}_2Ge] or Ge butyl amidinate to form GeTe smooth amorphous films for phase change memory applications.例文帳に追加

さらに、相変化型メモリー用途用のＧｅＴｅ平滑非晶質膜を形成するための、［｛ｎＢｕＣ（ｉＰｒＮ）_2｝_2Ｇｅ］又はＧｅブチルアミジネートの使用が記載されている。 - 特許庁

(GeTe)_xSb_2-yIn_yTe_3 is used as the composition of the recording films and ranges of 0.04≤y<2 and 4≤x≤8 are selected as the composition ratios of the recording film.例文帳に追加

記録膜の組成として、（ＧｅＴｅ）_ｘＳｂ_２−ｙＩｎ_ｙＴｅ_３を用い、記録膜の組成比率として、０．０４≦ｙ＜２、４≦ｘ≦８の範囲を選択する。 - 特許庁