H bondedとは 意味・読み方・使い方

If a metal bump 2 is formed on an electrode film 3, and a gold alloy bonding wire 1 is wedge-bonded on the metal bump 2, the height H of the bump 2 is made to meet the relation: 2t+2≤H≤6t+50 (μm).例文帳に追加

電極膜３上に金属バンプ２を形成し、そのバンプ２上に金合金ボンディングワイヤ１をウェッジ接合する場合はそのバンプ２の高さＨを２ｔ＋２≦Ｈ≦６ｔ＋５０（μｍ）とする。 - 特許庁

In this in vitro evaluation method or screening method of the sensitive material, the tested material is mixed with amyloid P hexamer selected from a group of H-Phe-Thr-Leu-Cys-Phe-Arg-NH_2 and H-Phe-Thr-Leu-His-Phe-Arg-NH_2, then the existence of bonded material of the amyloid P hexamer and the tested material is measured.例文帳に追加

本発明は、H-Phe-Thr-Leu-Cys-Phe-Arg-NH_2及びH-Phe-Thr-Leu-His-Phe-Arg-NH_2から成る群から選ばれるアミロイドＰヘキサマーと被験物質とを混合した後、前記アミロイドＰヘキサマーと被験物質との結合物の有無を測定することを特徴とする感作性物質のインビトロ評価方法またはスクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 includes an insulating circuit substrate 11 on which the semiconductor element 12 is bonded by a solder H.例文帳に追加

半導体装置１０は、絶縁回路基板１１を備え、絶縁回路基板１１上に半導体素子１２が半田Ｈを介して接合されている。 - 特許庁

The p-side pad electrode 32 of an infrared semiconductor laser device 3 is bonded onto the p-side pad electrode 14 with the corresponding solder film H sandwiched therebetween.例文帳に追加

また、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１４上に接合されている。 - 特許庁

The p-side pad electrode 22 of a red semiconductor laser device 2 is bonded onto the p-side pad electrode 13 with the corresponding solder film H sandwiched therebetween.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１３上に接合されている。 - 特許庁

When a thick sheet 30 of which the thickness is larger than the difference in level (h) is bonded to the surface of the adherend 20 having the difference in level (h), a roller having a radius of (21/2-1)h/2 or a push-in plate is used to bond the sheet 30 under pressure to minimize the gap.例文帳に追加

段差ｈを有する被着体２０の表面に、段差ｈよりも厚みの厚いシート３０を貼る際に、（２^1/2−１）ｈ／２の半径のローラ、もしくは押込み板を使用して、シート３０を圧着することにより隙間を最小限に抑え、上記の課題を解決した。 - 特許庁

In the bonding method to bond aluminum members 11 using the solder H, aluminum members 11 are bonded together, employing the solder H composed of Sn or Sn alloy containing 0.005 mass% or more of Al, while applying ultrasonic vibration to the solder H or the aluminum member 11.例文帳に追加

アルミニウム部材１１同士をはんだＨにより接合する方法であって、Ａｌを０．００５mass％以上添加したＳｎ又はＳｎ合金からなるはんだＨを使用して、このはんだＨ又はアルミニウム部材１１に超音波振動を印加しながら、アルミニウム部材１１同士を接合する。 - 特許庁

The invention provides a fullerene derivative having a phosphonic acid ester group -PO(OR)_2 (R is a 1-5C alkyl group or a phenyl group) bonded to the derivative and essentially free from bonded organic compound, preferably a fullerene derivative having a sulfonic acid group -SO_3M (M is H or an alkali metal ion) bonded together with the above group.例文帳に追加

ホスホン酸エステル基−ＰＯ（ＯＲ）_２（ＲはＣ_１〜Ｃ_５のアルキル基又はフェニル基）が結合し、有機化合物が実質的に結合していないフラーレン誘導体であり、好ましくは、スルホン酸基−ＳＯ_３Ｍ（ＭはＨ又はアルカリ金属イオン）が同時に結合したフラーレン誘導体。 - 特許庁