H2O solutionとは 意味・読み方・使い方

Li(OH).H2O (4M) is dissolved in distilled water to prepare 250 mL of a reaction solution.例文帳に追加

蒸留水にＬｉＯＨ・Ｈ_２Ｏ（４Ｍ）を溶解させて２５０ｍＬの反応溶液を作製する。 - 特許庁

Such a cleaning solution includes, for example, ammonia hyperhydration of NH4OH:H2O2:H2O=1:1:20.例文帳に追加

例えばこのような洗浄液としては、ＮＨ_4ＯＨ：Ｈ_2Ｏ_2：Ｈ_2Ｏ＝１：１：２０のアンモニア過水がある。 - 特許庁

Total concentration of water (H2O) and hydrofluoric acid (HF) included in nonaqueous solution within cell is set to less than 10,000 ppm.例文帳に追加

電池内非水電解液中に含まれる水（Ｈ_2Ｏ）とフッ化水素酸（ＨＦ）の合計濃度を１００００ｐｐｍ以下とした。 - 特許庁

A 1st reaction solution is prepared by dissolving LiOH.H2O in distilled water and a 2nd resection solution is prepared by dissolving CoSO4.7 H2O in distilled water.例文帳に追加

蒸留水にＬｉＯＨ・Ｈ_２Ｏを溶解させて第１の反応溶液を作製し、同じく蒸留水にＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏを溶解させて第２の反応溶液を作製する。 - 特許庁

Related to the etchant, its main component is chlorine metal solution (MeCln+H2O) of weak acid while nonionic surfactant and dispersing agent added to it.例文帳に追加

エッチャントとしては、主成分を弱酸性の塩素系金属溶液（ＭeＣln＋Ｈ_2Ｏ）とし、これにノニオン系界面活性剤と拡散剤を添加したものを用いる。 - 特許庁

Furthermore, the method comprises a process of etching a SiN film selectively, by using a mixed solution of H2SO4 and H2O or this mixed solution added with a very small amount of hydrofluoric acid.例文帳に追加

さらに、Ｈ_2ＳＯ_4とＨ_2Ｏとの混合液、またはこの混合液に微量のフッ酸を添加したエッチング液を用い、ＳｉＮ膜を選択的にエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

This manufacturing method of semiconductor devices comprises the etching process using an etching stock solution, consisting mainly of H2SO4 and NH4F, or H2SO4 and HF and containing H2O of 5 wt.% or lower.例文帳に追加

Ｈ_2ＳＯ_4とＮＨ_4Ｆ、もしくはＨ_2ＳＯ_4とＨＦを主成分とし、含有Ｈ_2Ｏが５wt％以下であるエッチング原液を使用するエッチング工程を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁