Hexamethyldisiloxaneとは 意味・読み方・使い方

Disclosed is a method for forming an SiO_x film where argon plasma generated by an end hole type ion source and a part of electrons used for generating the plasma are acted on a hexamethyldisiloxane or a mixed gas of hexamethyldisiloxane and oxygen, and, simultaneously, low energy argon ions generated from the ion source are emitted to the surface of a substrate.例文帳に追加

エンドホール型イオン源で発生したアルゴンプラズマと、このプラズマを発生させるに用いる電子の一部をヘキサメチルジシロキサンガス又はヘキサメチルシロキサンと酸素の混合ガスに作用させると同時に、イオン源から発生された低エネルギーアルゴンイオンを基板上に照射することを特徴とするＳｉＯ_ｘ膜を形成する方法。 - 特許庁

An azeotrope solvent composition comprises 94 mass% of (2,2,2-trifluoroethoxy)-1,1,2,2-tetrafluoroethane and 6 mass% of hexamethyldisiloxane.例文帳に追加

（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−１，１，２，２−テトラフルオロエタン ９４質量％と、ヘキサメチルジシロキサン ６質量％とからなる共沸溶剤組成物。 - 特許庁

As the siloxane compound, trimethoxysilane having high solubility to a nonpolar solvent, and hexamethyldisiloxane and octamethylcyclotetrasiloxane dissolving even into a polar solvent are preferably adopted.例文帳に追加

シロキサン化合物としては、無極性溶媒への溶解度の高いトリメトキシシランや、極性溶媒にも溶解するヘキサメチルジシロキサンやオクタメチルシクロテトラシロキサンを採用すればよい。 - 特許庁

A mixed solvent composition comprises 70-96 mass% of (2,2,2-trifluoroethoxy)-1,1,2,2-tetrafluroethane and 4-30 mass% of hexamethyldisiloxane.例文帳に追加

（２，２，２−トリフルオロエトキシ）−１，１，２，２−テトラフルオロエタン ７０〜９６質量％と、ヘキサメチルジシロキサン ４〜３０質量％とを含有する混合溶剤組成物。 - 特許庁

Also disclosed is a SiO_x film forming device at least comprising: an exhaust mechanism; an argon gas introduction mechanism; preferably, a hexamethyldisiloxane gas introduction mechanism; an end hole type ion source; and a substrate holder.例文帳に追加

装置としては、少なくとも排気機構と、アルゴンガス導入機構と、ヘキサメチルジシロキサンガス導入機構と、好ましくは酸素ガス導入機構と、エンドホール型イオン源と、基板のホルダーを具備する装置 - 特許庁

Subsequently, the silica nano particles are mixed with an acid and hexamethyldisiloxane to remove the surfactant from the mesopores and trimethylsilylate a hydroxy group on the surface of the silica nano particles to produce mesoporous silica particles.例文帳に追加

その後、前記シリカナノ微粒子と、酸と、ヘキサメチルジシロキサンとを混合することにより、界面活性剤を前記メソ孔から除去すると共に、前記シリカナノ微粒子の表面の水酸基をトリメチルシリル化して、メソポーラスシリカ微粒子を製造する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of supplying an HMDSO(hexamethyldisiloxane) as a stock material into a reaction chamber 11 of a low pressure CVD unit 10, in a state in which an insulating film 15a of a semiconductor substrate 15 in the chamber 11 is irradiated thereon with a vacuum ultraviolet ray, and supplying oxygen as an adding gas.例文帳に追加

減圧ＣＶＤ装置１０の反応室１１内の半導体基板１５の絶縁膜１５ａ上に真空紫外光を照射した状態で、前記反応室内に原料ガスとして、ＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）が供給されかつ添加ガスとして酸素が供給される。 - 特許庁