MAGNESIUM NITRIDEとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of manufacturing a gallium nitride based semiconductor device with an improved magnesium activation rate.例文帳に追加

マグネシウムの活性化率が改善された窒化ガリウム系半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The gallium nitride compound semiconductor comprises: an n-type gallium nitride compound semiconductor layer containing at least silicon; and a p-type gallium nitride compound semiconductor layer containing at least magnesium.例文帳に追加

窒化ガリウム系化合物半導体は、少なくともシリコンを含むｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体層と、少なくともマグネシウムを含むｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体層とを有する。 - 特許庁

The gallium nitride-based semiconductor region 19 includes a group III nitride semiconductor film 21 containing magnesium as a p-type dopant, and the group III nitride semiconductor film 21 contains aluminum as a group III constituent element.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体領域１９は、ｐ型ドーパントとしてマグネシウムを含むIII族窒化物半導体膜２１を有しており、III族窒化物半導体膜２１は、III族構成元素としてアルミニウムを含む。 - 特許庁

The ceramics is preferably selected among silicon carbide, alumina, aluminum nitride, silica, titanium oxide, zinc oxide, magnesium hydroxide, barium carbonate, calcium silicate, talc, clay, mica, boron nitride, and silicon nitride.例文帳に追加

好ましくは、このセラミックスは、炭化ケイ素、アルミナ、窒化アルミニウム、シリカ、酸化チタン、酸化亜鉛、水酸化マグネシウム、炭酸バリウム、珪酸カルシウム、タルク、クレー、マイカ、窒化ホウ素および窒化ケイ素からなる群から選択される。 - 特許庁

The ceramics are preferably composed of one or more kinds of inorganic compounds selected from aluminum oxide, magnesium oxide, zinc oxide, boron nitride, aluminum nitride and silicon nitride or silicate glass.例文帳に追加

また、好ましくは、セラミックスは、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化珪素から選ばれる１種以上の無機化合物又はケイ酸塩ガラスからなることがよい。 - 特許庁

The nitride semiconductor device 100 includes p-type first nitride semiconductor layers 6a, 6b in which magnesium is contained on a part of the surface of an n-type third nitride semiconductor layer 4.例文帳に追加

窒化物半導体装置１００は、ｎ型の第３窒化物半導体層４の表面の一部にマグネシウムが含有されているｐ型の第１窒化物半導体層６ａ、６ｂを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing single crystal magnesium oxide nanobelts comprizes the steps of forming magnesium nitride by heating metal magnesium at 600-700°C in a gaseous nitrogen stream for 1-3 h, and continuously heating the magnesium nitride at 600-700°C for 1-2 h after switching from the gaseous nitrogen to a mixed gas comprizing nitrogen and oxygen.例文帳に追加

金属マグネシウムを窒素ガス気流中、６００〜７００℃に、１〜３時間加熱し窒化マグネシウムを生成させた後、引き続き、前記窒素ガスを、窒素と酸素の混合ガス気流に切り替えて、この窒化マグネシウムを６００〜７００℃に、１〜２時間加熱することを特徴とする単結晶酸化マグネシウムナノベルトの製造方法。 - 特許庁

The semiconductor further comprises: a cap layer which can uniformly retrieve at least a partial hydrogen dissociated from magnesium from the gallium nitride compound semiconductor layer suppressing the dissociation of a gallium nitride compound semiconductor in annealing and containing the magnesium in the depth direction and which has a film thickness of 0.01 μm on the gallium nitride compound semiconductor layer containing the magnesium.例文帳に追加

マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層の上に、アニーリングにおいて、窒化ガリウム系化合物半導体の分解を抑えかつマグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層中から、マグネシウムと解離されてなる少なくとも一部の水素を深さ方向均一に出すことができる膜厚０．０１μｍ以上のキャップ層を有する。 - 特許庁