MIS-FETとは 意味・読み方・使い方

Thereafter, the dummy gate electrode 32 is made to react with the metallic film 35 by heat treatment to form a gate electrode of the n-channel type MIS FET.例文帳に追加

その後、熱処理によりダミーゲート電極３２と金属膜３５とを反応させてｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極を形成する。 - 特許庁

To obtain an MIS-type FET which reduces electric field concentration occurring in a gate electrode bottom end during operation and has high manufacturing yield and reliability.例文帳に追加

動作時のゲート電極底端部において発生する電界集中を低減させた、製造歩留り及び信頼性の高いＭＩＳ型ＦＥＴ得る。 - 特許庁

To improve a fault that a gate forward current cannot be controlled in an MIS type FET formed of a single layer Si_3N_4 insulating layer.例文帳に追加

単一層のＳｉ_３Ｎ_４絶縁層からなるＭＩＳ型ＦＥＴにおけるゲート順方向電流を抑制できないという欠点を改善する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor device having a CMIS FET, a first metallic film made of a silicon film and a first metal is first subjected to heat treatment for reaction to thereby form a gate electrode 31b of a p-channel type MIS (Metal Insulator Semiconductor) FET made of metal silicide and a dummy gate electrode 32 of an n-channel type MIS FET.例文帳に追加

ＣＭＩＳＦＥＴを有する半導体装置を製造方法する際に、まず、シリコン膜と第１金属からなる第１金属膜を熱処理により反応させることで、金属シリサイドからなるｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのゲート電極３１ｂとｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのダミーゲート電極３２を形成する。 - 特許庁

To enhance a holding characteristic of a ferroelectric element of a structure of a ferroelectric substance capacitor connection to a gate electrode of a field-effect transistor (MIS-FET).例文帳に追加

電界効果型トランジスタ（ＭＩＳ−ＦＥＴ）のゲート電極に強誘電体キャパシタ接続した構造の強誘電体素子の保持特性を向上する。 - 特許庁

The gate insulating layer of a MIS type FET is provided with an AIN insulating layer 110 provided on a semiconductor layer and the Si_3N_4 insulating layer 114 provided on the AIN insulating layer 110.例文帳に追加

ＭＩＳ型ＦＥＴのゲート絶縁層において、半導体層上に設けられたＡｌＮ絶縁層１１０と、そのＡｌＮ絶縁層１１０上に設けられたＳｉ_３Ｎ_４絶縁層１１４とを具える。 - 特許庁

In a MIS-type GaN-FET, a conductive nitride, in which oxygen is not included on a surface layer 5 being a nitride semiconductor layer, here, an underlying layer 9 made of TaN, is arranged so as to cover the lower face of a gate insulating film 11, made of Ta_2O_5, at least immediately under a gate electrode 12.例文帳に追加

ＭＩＳ型のＧａＮ−ＦＥＴにおいて、少なくともゲート電極１２直下におけるＴａ_2Ｏ_5からなるゲート絶縁膜１１の下面を覆うように、窒化物半導体層である表面層５上に酸素を含有しない導電性窒化物、ここではＴａＮからなる下地層９を配する。 - 特許庁