MNOsとは 意味・読み方・使い方

SINGLE-CHARGE STORING MNOS MEMORY, MONOS MEMORY, AND METHOD FOR DRIVING THE SAME例文帳に追加

単一電荷蓄積ＭＮＯＳメモリ及びＭＯＮＯＳメモリ並びにそれらの駆動方法 - 特許庁

A transistor 11 is formed on a semiconductor substrate 1, and an MNOS element 10 is formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１にトランジスタ１１を形成すると共に、半導体基板１上にＭＮＯＳ素子１０を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that greatly suppresses generation of leakage current through a gate insulating film in the so-called MNOS structure.例文帳に追加

いわゆるＭＮＯＳ構造において、ゲート絶縁膜を介した漏れ電流の発生を大幅に抑制させた半導体メモリ装置の提供。 - 特許庁

To improve recording holding characteristic in passage of time in a nonvolatile semiconductor recording device such as MONOS type or MNOS type or the like.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型やＭＮＯＳ型などの不揮発性半導体記録装置において、経時での記録保持特性を向上する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory and manufacturing method thereof, having a novel cell structure having both a scalability equal to that of the floating gate type memory cell and high reliability equal or higher than an MNOS type memory cell.例文帳に追加

フローティングゲート型メモリセルに匹敵するスケーラビリティと、ＭＮＯＳ型メモリセルと同等以上の高い信頼性とを併せ持った新規なセル構造の不揮発性メモリおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A data holding characteristic is improved by using a silicon nitride film of which Si-H coupling density is ≤1×10^19 cm^-3 as a charge accumulation layer 4 of a non-volatile memory such as an MNOS memory or an MONOS memory.例文帳に追加

ＭＮＯＳメモリまたはＭＯＮＯＳメモリ等の不揮発性メモリの電荷蓄積層４としてＳｉ−Ｈ結合密度が１×１０^１９ｃｍ^−３以下の窒化珪素膜を用いることにより、データ保持特性の改善を図る。 - 特許庁

A first connecting hole 20b located on a gate electrode 5b, and a second connecting hole 20a located on the MNOS element 10, are formed to the interlayer insulating film 20.例文帳に追加

層間絶縁膜２０に、ゲート電極５ｂ上に位置する第1の接続孔２０ｂ、及びＭＮＯＳ素子１０上に位置する第２の接続孔２０ａを形成する。 - 特許庁