Mask of Restrictとは 意味・読み方・使い方

To restrict a decrease in a pattern resolution resulting from the component of exposure light made incident on the photo-mask non-vertically.例文帳に追加

フォトマスク面に非垂直入射する露光光成分などに起因して生じるパターン解像度の低下を抑制すること。 - 特許庁

To prevent occurrence of underexposure and double exposure near a boundary of an exposure region when a part of light radiated to a mask is blocked to restrict the exposure region in the exposure of a substrate using a proximity system.例文帳に追加

プロキシミティ方式を用いた基板の露光において、マスクへ照射される光の一部を遮断して露光領域を制限する際、露光領域の境界付近で露光不足や二重露光が発生するのを防止する。 - 特許庁

A charge-up potential of the mask member 21 is detected by a mask potential sensor 30 at the time of ion implantation, and a sufficient amount of electrons for canceling the potential is generated at an electron source 28 to restrict the charge-up of a wafer W.例文帳に追加

イオン注入時、マスク電位センサ３０によってマスク部材２１のチャージアップ電位を検出し、この電位を打ち消すのに十分な量の電子を電子発生源２８から発生させて、ウェーハＷのチャージアップを抑制する。 - 特許庁

To prevent insufficient exposure light or duplicated exposure near the boundary of an exposure region when the light irradiating a mask is partly cut to restrict the exposure area in the exposure of a substrate by using a proximity method.例文帳に追加

プロキシミティ方式を用いた基板の露光において、マスクへ照射される光の一部を遮断して露光領域を制限する際、露光領域の境界付近で露光不足や二重露光が発生するのを防止する。 - 特許庁

In other case, on the basis of a calculated cover size, mask processing is performed so as to restrict a cover which can be selected, and the cover which can be used is informed to the user by the screen display.例文帳に追加

或いは、算出した表紙サイズに基づいて、選択可能な表紙を制限できるようにマスク処理を施して、使用可能な表紙を画面表示でユーザに報知する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and its manufacturing method, which can restrict increase in a chip area more than in the case where a diffusion resistance in an activation region is used, without increasing the number of wires, and the number of times (the number of steps) of a mask overlap, and to reduce variations in the resistance value.例文帳に追加

配線数およびマスク重ね合わせ回数（工程数）を増加させることなく、フィールドの活性化領域上の拡散抵抗を用いた場合よりチップ面積の増加を抑制し、また、抵抗値のばらつきを低減できる半導体装置およびその製造方法を得る。 - 特許庁

To restrict a reduction in contrast of a pattern caused by unevenness in the film thickness of an etching stepper which is formed on a multilayer film which reflects EUV beams in an EUV beams exposure reflection type mask for use in transferring a pattern in a semiconductor manufacture, or the like.例文帳に追加

半導体製造等におけるパターン転写の際に使用されるＥＵＶ光露光用反射型マスクにおいて、ＥＵＶ光を反射する多層膜上に成膜されるエッチングストッパー層の膜厚のむらに起因するパターンのコントラスト低下を抑制する。 - 特許庁