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和英河川・水資源用語集での「N VI」の意味

NVI



「N VI」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 28



例文

N-TYPE GROUP II-VI COMPOUND SEMICONDUCTOR FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

n型II−VI族化合物半導体膜及びその製造方法 - 特許庁

(vi) When peeling test is conducted in compliance with JIS-C6471-1990 B method, peel strength between the layers which constitute the laminated body is 1 N/cm or higher.例文帳に追加

(vi)JIS−C6471−1990 B法準拠の剥離試験において、積層体を構成する層間の剥離強度が1N/cm以上である。 - 特許庁

When R>V 0/vmin, V=vi and desired enlargement can be performed with a setting of N/M=R.V/V0.例文帳に追加

ズーム率R>V0/vminの場合は、以下の設定で所望の拡大を行える。 - 特許庁

METHOD FOR SELECTIVELY SEPARATING AND RECOVERING URANIUM (VI) EXISTING IN AQUEOUS SOLUTION BY BRANCHED N, N-DIALKYL MONOAMIDE例文帳に追加

水溶液中に存在するウラン(VI)を分枝N,N−ジアルキルモノアミドにより選択的に分離・回収する方法 - 特許庁

METHOD FOR SEPARATING/RECOVERING HIGH-CONCENTRATION U(VI) AND PU(IV) FROM NITRIC ACID SOLUTION USING N,N-DIOCTYL HEXANAMIDE (DOHA)例文帳に追加

N,N−ジオクチルヘキサナミド(DOHA)を用いて硝酸溶液から高濃度U(VI)及びPu(IV)を分離・回収する方法 - 特許庁

VI(N) is inputted to an output data control circuit 102 through a delay circuit 105, and its output VO(N) becomes a prescribed value (for example, "0").例文帳に追加

VI(N)が遅延回路105を介して、出力データ制御回路102に入力され、その出力VO(N)は所定値(例えば“0”)となる。 - 特許庁

例文

VI(N) is written in the write address of the memory 101, and contents in the read address of the memory 101 are outputted to VOD(N).例文帳に追加

書き込みアドレスにVI(N)がメモリ101に書き込まれ、読み出しアドレスのメモリ101の内容がVOD(N)に出力される。 - 特許庁

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JST科学技術用語日英対訳辞書での「N VI」の意味

眼科専門用語辞書での「N VI」の意味

6th cranial nerve (N VI)

クロスランゲージ 37分野専門語辞書での「N VI」の意味

Wiktionary英語版での「N VI」の意味

NVI

「N VI」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 28



例文

Since the rising voltage of p-n heterojunction comprising a p-type II-VI clad layer and current block layer is significantly higher than that of the p-n junction via the active layer 13, the leakage current at laser oscillation is less.例文帳に追加

p型II-VIクラッド層と電流阻止層とから構成されるpnヘテロ接合の立ち上がり電圧が活性層13を介したpn接合に比べ非常に大きいため、レーザ発振時の漏れ電流が少ない。 - 特許庁

Data of voltages Vbi=Vi-Vi-1 of respective cells Bi are obtained in time series from terminal voltages Vi (i=1, 2,,,n) of the respective cells Bi (i=1, 2,,,n) while discharging discharge current I from the storage battery B.例文帳に追加

蓄電池Bから放電電流Iを放電させながら、蓄電池Bの各セルBi (i=1、2…n)の端子電圧Vi (i=1、2…n)から、各セルBi の電圧Vbi=Vi −Vi-1 のデータを時系列的に採取する。 - 特許庁

When the power source voltage VCC is lower than or equal to the voltage VI_/O at the end of the I/O circuit, a voltage of the N-well of the transistor M1 is clamped at the voltage VI_/O at the end of the I/O circuit.例文帳に追加

一方、電源電圧Vccが入力/出力回路端の電圧V_I/Oより低い場合に、トランジスタM1のNウエルの電圧は入力/出力回路端の電圧V_I/Oにクランプされる。 - 特許庁

A group Vb element or a group VI element other than nitrogen is also used as an n-type dopant for forming impurity regions.例文帳に追加

不純物領域形成のためのn型ドーパントとしても、窒素以外のVb族、またはVI族元素を用いる。 - 特許庁

Citalopram can be manufactured by reacting a compound represented by formula [IV] with 3-(dimethylamino)propyl chloride in the presence of at least one condensing agent selected from N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone.例文帳に追加

N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミンおよび1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンから選ばれる少なくとも1つと縮合剤の存在下、下記式[VI]で示される化合物を3−(ジメチルアミノ)プロピルクロリドと反応させることによりシタロプラムを製造できる。 - 特許庁

In frequency change operation, VI(N) is written in a write address of a memory 101, and contents in a read address of the memory 101 are outputted to VOD(N).例文帳に追加

周波数乗り換え動作は、書き込みアドレスにVI(N)がメモリ101に書き込まれ、読み出しアドレスのメモリ101の内容がVOD(N)に出力される。 - 特許庁

When a power source voltage VCC is equal to or higher than a voltage VI_/O at an end of the I/O circuit, a voltage of the N-well of the transistor M1 is clamped at the power source voltage VCC.例文帳に追加

電源電圧Vccが入力/出力回路端の電圧V_I/O以上の場合に、トランジスタM1のNウエルの電圧が電源電圧Vccにクランプされる。 - 特許庁

例文

VI(N) is inputted to the delay circuit 105, and a signal delayed by a prescribed extent is inputted to the output data control circuit 102 and passes through and is outputted to VO(N).例文帳に追加

VI(N)が遅延回路105に入力され、所定量遅延された信号が出力データ制御回路102に入力されスルーされて、VO(N)に出力される。 - 特許庁

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