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N シリコンの英語

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Weblio専門用語対訳辞書での「N シリコン」の英訳

N+シリコン


n+シリコン

n+ silicon
Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。

「N シリコン」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 1316



例文

An N- silicon wafer is laminated on the surface of an N+ silicon wafer.例文帳に追加

N^+シリコンウェーハの表面に、N^−シリコンウェーハを張り合わせる。 - 特許庁

In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加

p^+ 型シリコン基板1の上に、n^- 型シリコン層2、n^+ 型シリコン層3、n^- 型シリコン層4が形成されている。 - 特許庁

An n^- silicon carbide layer is provided on a silicon carbide substrate.例文帳に追加

n”シリコンカーバイド層が、シリコンカーバイド基板上に設けられる。 - 特許庁

An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a plurality of trenches 13 are formed in the n-type silicon layer 12.例文帳に追加

n^+型のシリコンウェーハ11w上にn型シリコン層12を形成し、n型シリコン層12に複数本のトレンチ13を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an n-type silicon substrate 1, an n-type silicon layer 2, a silicon/germanium superlattice layer 5 where Be doped silicon germanium layers 3 and i-type silicon layers 4 are laminated, a p-type silicon layer 6, a p-side electrode 7, and an n-side electrode 8.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、n型シリコン基板1と、n型シリコン層2と、Beドープシリコンゲルマニウム層3およびi型シリコン層4を積層したシリコン/シリコンゲルマニウム超格子層5と、p型シリコン層6と、p側電極7と、n側電極8とを備える。 - 特許庁

The Si/N ratio of the gate silicon nitride film 16 is set higher than the Si/N ratio of the interlayer silicon nitride film 26.例文帳に追加

ゲート窒化シリコン膜16のSi/N比を層間窒化シリコン膜26のSi/N比より高くする。 - 特許庁

例文

N-TYPE POLYCRYSTALLINE SILICON WAFER AND N-TYPE POLYCRYSTALLINE SILICON INGOT, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

n型多結晶シリコンウェーハ並びにn型多結晶シリコンインゴット及びその製造方法 - 特許庁

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「N シリコン」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 1316



例文

An N^- silicon substrate 1 where an N^+ layer 2 is formed through a silicon oxide film 4 is formed on a P silicon substrate 3.例文帳に追加

Pシリコン基板3上にシリコン酸化膜4を介してN^+層2の形成されたN^-シリコン基板1が設けられている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 6 and an n-type amorphous silicon film 7 are formed sequentially on the rear surface of the n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

n型単結晶シリコン基板1の裏面には、i型非晶質シリコン膜6およびn型非晶質シリコン膜7が順に形成されている。 - 特許庁

An N-type silicon-gerumanium mixed crystal layer 5 is formed on an N-type silicon substrate 4, and an N-type silicon layer 6 is formed thereon, and furthermore, a P-type silicon diffused layer 7 is formed in the N-type silicon layer 6.例文帳に追加

N型シリコン基板4の上にN型シリコン−ゲルマニウム混晶層5が形成され、N型シリコン−ゲルマニウム混晶層5の上にN型シリコン層6が形成され、さらに、N型シリコン層6内にP型シリコン拡散層7が形成される。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon layer 14 and a p-type amorphous silicon layer 15 get into a via hole of an n-type single-crystal silicon substrate 11 while an i-type amorphous silicon layer 12 and an n-type amorphous silicon layer 13 get into a via hole of the n-type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

i型非晶質シリコン層14とp型非晶質シリコン層15とは、n型単結晶シリコン基板11が有する貫通孔内に入り込み、i型非晶質シリコン層12とn型非晶質シリコン層13とは、n型単結晶シリコン基板11が有する貫通孔内に入り込む。 - 特許庁

The silicon substrate 1 contains n-type impurities.例文帳に追加

シリコン基板1はn型の不純物を含む。 - 特許庁

The silicon nitride film 7 has a boron nitride (B-N) bond.例文帳に追加

前記シリコン窒化膜7は、B−N結合を有する。 - 特許庁

N-TYPE SILICON FOR FORMING INGOT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

インゴット成形用n型シリコンとその製造方法 - 特許庁

例文

An n^- type silicon region 3 having high resistance, to be the region of maintaining a breakdown voltage, is vertically provided with respect to a principal surface 72 of an n^+ type silicon substrate 1, and the n^- type silicon region 3 having the high resistance is connected to the n^+ type silicon substrate 1.例文帳に追加

耐圧保持領域である高抵抗のn^−型シリコン領域3をn^+型シリコン基板1の主面72に対して垂直に設け、高抵抗のn^−型シリコン領域3をn^+型シリコン基板1に接続させる。 - 特許庁

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