NAND formとは 意味・読み方・使い方

A two input NAND section 20i which is operated by a power supply voltage VCC2 for external circuit driving and an inverter section 30i form a holding circuit.例文帳に追加

外部回路駆動用の電源電圧ＶＣＣ２で動作する２入力のＮＡＮＤ部２０ｉとインバータ部３０ｉは、保持回路を形成している。 - 特許庁

The clock doubler circuit has a form where three NAND gates whose skew is preferably small are coupled.例文帳に追加

そのクロック・ダブラ回路は、スキューが小さいことが好ましい３つのＮＡＮＤゲートが結合された形式になっている。 - 特許庁

A control unit 10 formats a NAND type flash memory 12 in a form suited to the DVD 30 when imaged moving image data is stored in the DVD 30, and formats the NAND type flash memory 12 in a form suited to the SD card 40 when imaged still image data is stored in the SD card 40.例文帳に追加

制御部１０は、撮像した動画データをＤＶＤ３０に記憶する場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２をＤＶＤ３０に適合した形式でフォーマットし、撮像した静止画データをＳＤカード４０に記憶する場合、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１２をＳＤカード４０に適合した形式でフォーマットする。 - 特許庁

A plurality of memory cells comprising the silicon thin-film 12, floating gate electrode 15, and control gate electrode are connected in series to form a NAND cell.例文帳に追加

シリコン薄膜１２、浮遊ゲート電極１５、制御ゲート電極１７を有するメモリセルが、複数個直列に接続されてＮＡＮＤセルを形成する。 - 特許庁

To provide a NAND type flash memory which can form distribution of thresholds to also a negative side, while suppressing increase of current and increase of a precharge period.例文帳に追加

電流増加やプリチャージ時間の増加を抑えつつ、負側にも、しきい値の分布を形成することが可能なＮＡＮＤ型フラッシュメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing NAND flash memory device by which, in a process wherein a bonding region of a selective transistor is exposed to form a contact plug, a gate and the contact plug are prevented from short-circuiting.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの形成において、選択トランジスタの接合領域を露出させ、コンタクトプラグを形成する過程でゲートとコンタクトプラグが短絡することを防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve margin of CMP processing to form the STI in a NAND-type flash memory, in which the gate is formed first.例文帳に追加

本発明は、ゲート先作りのＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、ＳＴＩを形成するためのＣＭＰ処理のマージンが低下するのを改善できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁