PERCENTAGE OF DEFECTとは 意味・読み方・使い方

The production pathway navigation system is configured to calculate the percentage of defect-free product for every manufacturing history and model based on manufacturing history information transmitted from a manufacturing process management device and inspection history information transmitted from the inspection process management device, and determines the optimal production pathway from the calculated percentage of defect-free product.例文帳に追加

この生産経路ナビゲートシステムは、まず、製造工程管理装置から送信された製造履歴情報と、検査工程管理装置から送信された検査履歴情報とに基づいて、製造履歴、機種毎に直行率を算出し、算出した直行率から最適な生産経路を決定しておく。 - 特許庁

To form no development defect after a resist pattern as an upper layer is formed even when the percentage content of silicon (Si) of an intermediate film is made high in a multi-layer resist process, and thereby to improve the yield.例文帳に追加

多層レジストプロセスにおいて、中間層膜のシリコン（Ｓｉ）の含有率を高くした場合でも、上層のレジストパターンを形成した後の現像欠陥が発生せず、従って、歩留まりを向上できるようにする。 - 特許庁

To provide a gasket connecting method capable of simplifying gasket connecting work carried out on the job site in a joint of exterior wall surface jointing portion for exterior finishing members of a building, securing a good state of adhesion and considerably decreasing the percentage of occurrence of defect in adhesion.例文帳に追加

建築用外装材の外壁面接合部の目地に現場で施工するガスケット接続作業の簡易化、良好な接着状態の確保および接着欠陥発生率の大幅減少が可能なガスケットの接続方法の提案。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents generation of a crystal defect and efficiently forms a super junction structure when burying an epitaxial layer in a trench selectively formed using a hard mask in a state wherein the hard mask is left to obtain an excellent efficiency percentage.例文帳に追加

ハードマスクを用いて選択形成したトレンチに、ハードマスクを残した状態でエピタキシャル層を埋め込む際に、結晶欠陥の発生を防ぐとともに、超接合構造を効率良く形成でき、良好な良品率が得られる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an integrated circuit structure which increases the drive current of a fin FET and provides a room for a pitch which forms an STI region used for forming a germanium-containing film by increasing the germanium percentage of the fin FET obtained and reducing a defect of a germanium film, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

得られるフィンＦＥＴのゲルマニウム百分率を高くしてゲルマニウム膜の欠陥を少なくすることにより、フィンＦＥＴの駆動電流を高め、ゲルマニウム含有膜の形成に用いるＳＴＩ領域を形成するピッチに余裕を持たせる集積回路構造及びその製造方法を提供する。 - 特許庁