Radical 121とは 意味・読み方・使い方

The method of cleaning a substrate includes: introducing radicals contained in a plasma into a treatment chamber through radical passage holes 111 of a plasma confining electrode plate 110 for separating plasma; introducing a treatment gas into the treatment chamber to mix with the radical in the treatment chamber 121; and cleaning the substrate surface with a mixed ambience of the radicals and the treatment gas.例文帳に追加

プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 - 特許庁

The control means 121 supplies the Si-based gas to the wafer 200 in the treatment chamber 201 to cause the wafer to absorb a first material, and supplies the oxidized gas to generate an O radical and an OH radical so that the radicals may perform an oxidation reaction on the surface of the wafer having absorbed the first material, thereby forming an oxidized film on the wafer 200.例文帳に追加

制御手段１２１により、処理室２０１内のウェハ２００に対してＳｉ系ガスを供給して第１の原料をウェハ上に吸着させ、酸化性ガスを供給してＯラジカルとＯＨラジカルを発生させ、これらのラジカルにより、第１の原料が吸着したウェハ表面で酸化反応を行わせ、ウェハ２００上に酸化膜を形成するようにする。 - 特許庁