Ru oxideとは 意味・読み方・使い方

The oxide coating film 2 is made of oxide of at least one platinum group metal selected among Ir, Ru and Rh.例文帳に追加

又、酸化物被膜２が、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈから選ばれた少なくとも一種の白金族金属酸化物からなる。 - 特許庁

A conductive material contains a composite oxide of Er and Ru, i.e., Er_2Ru_2O_7.例文帳に追加

ＥｒとＲｕの複合酸化物、すなわちＥｒ_2Ｒｕ_2Ｏ_7を含有する導電性材料である。 - 特許庁

The diamond electrode structure achieves electrical junction by providing a diamond on which an electrode made of ruthenium (Ru) or ruthenium oxide (RuO_2) is provided.例文帳に追加

ダイヤモンド表面にルテニウム（Ru）もしくは酸化ルテニウム（RuO_2）からなる電極を設けることにより、電気的接合を行うことを特徴とするダイヤモンド電極構造。 - 特許庁

The Ru complex oxide has a perovskite type crystalline structure, with a part of an Ru site substituted with at least a kind out of Ti and Zr.例文帳に追加

このＲｕ複合酸化物は、ペロブスカイト型結晶構造を有し、Ｒｕサイトの一部がＴｉ若しくはＺｒの少なくとも１種で置換されている。 - 特許庁

The crystal size of the Ru complex oxide particle is controlled by applying heat treatment to the Ru complex oxide particle obtained by sintering, and the average particle size is controlled by crushing it.例文帳に追加

焼成により得られたＲｕ複合酸化物粒子を熱処理することによりＲｕ複合酸化物粒子の結晶子サイズが制御され、さらに粉砕することにより平均粒径が制御されている。 - 特許庁

In order to solve the Ru-based composite oxide and the TCR adjuster, RuO_2, the material compound of the Ru-based composite oxide and the TCR adjuster are previously mixed and the mixture is baked.例文帳に追加

Ｒｕ系複合酸化物及びＴＣＲ調整剤を固溶するには、ＲｕＯ_2、Ｒｕ系複合酸化物の原料化合物及びＴＣＲ調整剤を予め混合し、混合物を焼成する。 - 特許庁

The induction absorptive material is formed of at least one oxide of metals selected from the group consisting of Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb, Ta, W, Re, Os, Ir, and Bi and a transparent substrate.例文帳に追加

Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Nb, Mo, Ru, In, Sn, Sb,Ta, W, Re, Os, Ir,およびBiからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属の酸化物と透明基板とから形成される誘導吸収材料。 - 特許庁

A capacitor formed on a conductive plug of a semiconductor substrate has the composite storage node having the Ru conductive layer which covers the conductive plug and a conductive oxide layer of the perovskite structure covering the Ru conductive layer, a capacitor dielectric layer covering the composite storage node, and an electrode layer covering the capacitor dielectric layer.例文帳に追加

半導体基板の導電性プラグ上に形成されたキャパシタが、導電性プラグを覆うRu導電層およびRu導電層を覆いペロブスカイト構造の導電酸化層を有する複合記憶ノードと、複合記憶ノードを覆うキャパシタ誘電層と、キャパシタ誘電層を覆う電極層とを含む。 - 特許庁