Si bipolarとは 意味・読み方・使い方

An impurity density in the inclined base layer of an Si/SiGe or Si/SiGeC hetero bipolar transistor is inclined so as to gradually increase in a direction from an emitter to a collector without being turned to a uniform density.例文帳に追加

Ｓｉ／ＳｉＧｅ又はＳｉ／ＳｉＧｅＣヘテロバイポーラトランジスタの傾斜ベース層における不純物濃度を、均一濃度ではなく、エミッタからコレクタに向かう方向に徐々に増大するように傾斜させている。 - 特許庁

An NPN type bipolar transistor BT, in which an N well 11 is a collector layer, a P+ type Si layer 12A formed on a surface of the N wall 11 is a base layer, and an N+ type Si layer 15 formed on a surface of the P+ type Si layer 12A is an emitter layer, is formed.例文帳に追加

Ｎウエル１１をコレクタ層とし、Ｎウエル１１の表面に形成されたＰ＋型Ｓｉ層１２Ａをベース層とし、Ｐ＋型Ｓｉ層１２Ａの表面に形成されたＮ＋型Ｓｉ層１５をエミッタ層とする、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタＢＴが形成されている。 - 特許庁

This manufacturing method is carried out in a manner, where component element such as a resistive element 1, an NPN bipolar transistor 2, a P-channel MOS transistor 3, and an N-channel MOS transistor 4 are formed on an Si substrate 10.例文帳に追加

Ｓｉ基板１０の上に、抵抗素子１，ＮＰＮバイポーラトランジスタ２，ＰチャネルＭＯＳトランジスタ３，ＮチャネルＭＯＳトランジスタ４の各要素を形成する。 - 特許庁

Phosphorus glass (PSG film) 2 containing phosphorus (P) is formed on an Si semiconductor substrate 1, and the formation of an emitter by diffusion is finished for a transistor to be formed on a bipolar IC.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板１の上に、リン（Ｐ）を含んでいるリンガラス（ＰＳＧ膜）２を形成し、バイポーラＩＣ上に形成すべきトランジスタのエミッタ拡散を終了する。 - 特許庁

To prevent the generation of transient bipolar operation, when a gate is turned off in an SOI-MOSFET or the like, in which crystalline Si thin films having the qualities of monocrystal or qualities close to the same are used.例文帳に追加

単結晶あるいはそれに近い品質の結晶性Ｓｉ薄膜を用いたＳＯＩ−ＭＯＳＦＥＴ等において、ゲートをオフした時の過渡的なバイポーラ動作の発生を防止する。 - 特許庁

To provide an inexpensive driver circuit which can obtain an output current signal or output voltage signal having a desirable amplitude by using a pair of inexpensive bipolar transistors, etc., of Si, etc., without saturating the bipolar transistors, etc., and to provide the optical transmission module which has the driver circuit.例文帳に追加

安価な対なるＳｉ等のバイポーラトランジスタ等を用いて、該バイポーラトランジスタ等を飽和させずに所望の振幅を持った出力電流信号または出力電圧信号を得ることのできる安価なドライバ回路および該ドライバ回路を有する光送信モジュールを提供することにある。 - 特許庁

MOSFETs, in each of which a thin-film SiGe buffer layer and a strained Si channel grown on an insulating film are stacked, and an HBT (hetero-bipolar transistor) having a SiGe base layer epitaxially grown on the same thin-film SiGe layer and a Si emiter layer thereon, are formed to constitute a composite structure.例文帳に追加

絶縁膜上に薄膜ＳｉＧｅバッファ層とひずみＳｉチャネルを積層したＭＯＳＦＥＴおよび、同じく薄膜ＳｉＧｅ層上にエピタキシャル成長したＳｉＧｅベース層およびその上のＳｉエミッタ層を有するＨＢＴを複合化した構造を採用する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a bipolar transistor whose breakdown voltage between an emitter and a collector is higher than a conventional case while a mixed crystal of silicon germanium (Si-Ge) is used for improving an interruption frequency.例文帳に追加

遮断周波数を高くするためにシリコンゲルマニウム（Ｓｉ−Ｇｅ）の混晶を使用しつつも、エミッタ−コレクタ間耐圧が従来よりも高いバイポーラ・トランジスタを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁