Si single crystalとは 意味・読み方・使い方

To provide a layering method of Si single-crystal fine particles that eliminates gaps among Si single-crystal fine-particles in a Si single-crystal fine-particle layer, and prepares a Si single-crystal fine-particle layer which is layered tightly without gaps.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶微粒子層のＳｉ単結晶微粒子間の間隙を無くし、隙間無く緻密に積層したＳｉ単結晶微粒子層を作製できるＳｉ単結晶微粒子の積層方法を提供する。 - 特許庁

Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL INGOT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL WAFER PRODUCED FROM THE Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL INGOT例文帳に追加

ＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴットおよびその製造方法、並びに、当該ＳｉドープＧａＡｓ単結晶インゴットから製造されたＳｉドープＧａＡｓ単結晶ウェハ - 特許庁

Si-DOPED GaAs SINGLE CRYSTAL AND ITS PRODUCING METHOD例文帳に追加

ＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Si SINGLE CRYSTAL INGOT BY CZ METHOD例文帳に追加

ＣＺ法によるＳｉ単結晶インゴットの製造方法 - 特許庁

The single crystal substrate 1 is made of a Si substrate having the crystal plane direction of (111).例文帳に追加

単結晶基板１はＳｉ基板とし、その面方位は（１１１）とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the Si single crystal comprises segregating the metal impurities in an Si single crystal ingot pulled by a Czochralski method in the outer peripheral part, and then the outer peripheral part of the Si single crystal ingot is removed by grinding.例文帳に追加

チョクラルスキー法により引き上げられたＳｉ単結晶インゴット中の金属不純物を外周部に偏析させた後、Ｓｉ単結晶インゴットの外周部を研削して除去する。 - 特許庁

To provide a method for forming 3C-SiC single crystal thin film of a single phase having less crystal defects on an Si wafer by making hetero epitaxial growth on the surface of an Si substrate.例文帳に追加

Si基板表面にヘテロエピタキシャル成長させることにより、Siウェハ上に結晶欠陥の少ない単相の3C-SiC単結晶薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

A head H is produced using a substrate where a stopper layer is held between an Si single crystal substrate and an Si single crystal layer, wherein the Si single crystal substrate serves as the ink chamber substrate 200 and the Si single crystal layer serves as the diaphragm 300 in conjunction with the stopper layer.例文帳に追加

ヘッドＨはＳｉ単結晶基板とＳｉ単結晶層とでストッパ層を挟持してなる基板を用いて製造され、Ｓｉ単結晶基板がインク室基板２００と、Ｓｉ単結晶層およびストッパ層が振動板３００とされている。 - 特許庁